Hochspannungstransistor

• Main Authors: CHANG, HEE HYUN, KIM, YONG WOOK, LEE, DONG KEE
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 23.06.2005
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Es wird ein Hochspannungstransistor in einem Flash-Speicherbauelement zur Verfügung gestellt, mit: einem Source/Drain-Übergang einer DDD-Struktur, bestehend aus einer Hochkonzentrationsstörstellenregion und einer die Hochkonzentrationsstörstellenregion umgebenden Niedrigkonzentrationsstörstellenregion, wobei die Hochkonzentrationsstörstellenregion parallel mit einer Gate-Elektrode in einem Abstand gebildet wird, welcher durch einen Ort aufgespannt wird, in welchem ein Kontaktloch gebildet wird, und eine rechteckige Form aufweisend, deren Weite die gleiche ist oder größer ist als die des Kontaktlochs, und deren Länge die gleiche ist oder kleiner ist als die einer aktiven Region, durch welche sich die Gate-Elektrode erstreckt. Dementsprechend werden eine Stromdichte, die die Gate-Elektrode passieren soll, die dem Abschnitt des Kontaktlochs benachbart ist, und eine Stromdichte, die die Gate-Elektrode an einem Abschnitt passieren soll, wo das Kontaktloch nicht gebildet werden kann, gleichförmig. Ein gleichförmiger und konstanter Sättigungsstrom kann unabhängig von der Anzahl der Kontaktlöcher erhalten werden. Provided is a high voltage transistor in a flash memory device comprising: a source/drain junction of a DDD structure consisting of a high-concentration impurity region and a low-concentration impurity region surrounding the high-concentration impurity region, the high-concentration impurity region being formed in parallel with a gate electrode at a distance spaced by a location in which a contact hole is formed, and having a rectangular shape whose width is the same as or wider than that of the contact hole and whose length is the same as or narrower than that of an active region through which the gate electrode passes. Accordingly, a current density to pass the gate electrode neighboring the contact hole portion and a current density to pass the gate electrode at a portion where the contact hole cannot be formed become uniform. A uniform and constant saturation current can be obtained regardless of the number of the contact hole.