Verfahren zur Ausbildung einer zusammengesetzten intermetallischen dielektrischen Struktur

Verfahren zur Ausbildung einer zusammengesetzten intermetallischen dielektrischen Struktur, mit: Bereitstellen einer anfänglichen intermetallischen dielektrischen Struktur mit einer ersten dielektrischen Schicht (21) und zwei Leiterbahnen (26), wobei die zwei Leiterbahnen (26) sich in der ersten die...

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Main Authors KIM, SUN-OO, NAUJOK, MARKUS, COWLEY, ANDY
Format Patent
LanguageGerman
Published 17.12.2015
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC
GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS
SEMICONDUCTOR DEVICES
TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ARTCOLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Summary:Verfahren zur Ausbildung einer zusammengesetzten intermetallischen dielektrischen Struktur, mit: Bereitstellen einer anfänglichen intermetallischen dielektrischen Struktur mit einer ersten dielektrischen Schicht (21) und zwei Leiterbahnen (26), wobei die zwei Leiterbahnen (26) sich in der ersten dielektrischen Schicht (21) befinden; Entfernen eines Abschnitts der ersten dielektrischen Schicht zwischen den Leiterbahnen (26) zum Ausbilden einer Vertiefung (40), wobei die anfängliche intermetallische dielektrische Struktur ferner eine Hartmaskenschicht (24) oben auf der ersten dielektrischen Schicht (21) umfasst, und wobei das Entfernen des Abschnitts der ersten dielektrischen Schicht (21) ein Entfernen eines Abschnitts der Hartmaskenschicht (24) zum Ausbilden der Vertiefung umfasst; Füllen der Vertiefung (40) mit einem zweiten dielektrischen Material (52), wobei das zweite dielektrische Material (52) ein Dielektrikum mit niedrigem k ist, das eine geringere Dielektrizitätskonstante als die der ersten dielektrischen Schicht (21) aufweist; Durchführen eines Planarisierungsprozesses nach dem Füllen, zum Erzeugen einer planaren oberen Fläche (54); Zurücksetzen des zweiten dielektrischen Materials (52) und der Hartmaske (24) relativ zu den Leiterbahnen (26), so dass sie unterhalb der oberen Fläche (54) liegen; und Bedecken mit einer Abdeckschicht (58).
Bibliography:Application Number: DE20041028057