Trench capacitor manufacture, for memory cells, includes etching trench, preparing sealing layers on its walls and conducting selective epitaxial deposition process

• Main Author: TEMMLER, DIETMAR
• Format: Patent
• Language: English; German
• Published: 10.11.2005
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The trench is etched in a surface (1) of the semiconductor substrate (2) producing a wall (31). Layers (9, 26, 27) are prepared on the wall. The uppermost layer (9) is a sealing material. A selective epitaxial process is carried out to form a single crystal semiconductor layer (11, 23, 24, 25) on the surface (1). No semiconductor material grows on the sealing material. A partial trench (30) is etched in a surface (16) of the layer (11, 23, 24, 25). This stage lays bare at least part of the sealing layer (9). The exposed part of the layer is removed from the sealing material. An independent claim is included for the corresponding memory cell with storage capacitor. In einem Halbleiter-Substrat (2) werden durch herkömmliche Verfahren Kondensatorgräben (5) ausgebildet, die in geeigneter Weise abgedeckt werden, so dass die oberste auf der Oberfläche der Gräbenwände (31) gebildete Schicht aus einem Versiegelungsmaterial aufgebaut ist. In einem nächsten Schritt wird ein selektives Epitaxieverfahren durchgeführt, durch das die Substratoberfläche mit einer einkristallinen Siliziumschicht (11, 23, 24, 25) epitaktisch überwachsen wird, während auf dem Versiegelungsmaterial kein Silizium aufwächst. In der epitaktisch aufgewachsenen Siliziumschicht werden nachfolgend durch herkömmliche Verfahren Teilgräben (30) erzeugt, die an die in dem Halbleitersubstrat (2) bereits gebildeten Gräben (5) angeschlossen und mit diesen verbunden werden. DOLLAR A Durch beliebiges Wiederholen der genannten Verfahrensschritte ist es möglich, Gräben mit beliebiger Tiefe herzustellen. DOLLAR A Dadurch wird ermöglicht, mit derzeit verfügbaren Technologien Kondensatorgräben mit besonders hohen Aspektverhältnissen und Speicherkapazität herzustellen.