Slurry used for the chemical-mechanical polishing of semiconductor components comprises water, grinding grains and a polymer additive having hydrophilic as well as hydrophobic groups

• Main Authors: PARK, YOUNG-RAE, BOO, JAE-PHIL, HONG, CHANG-KI, YOON, BO-UN, KIM, KWANG-BOK, KIM, JUNG-YUP, LEE, JONG-WON, KIM, KYUNG-HYUN, HAH, SANG-ROK
• Format: Patent
• Language: English; German
• Published: 06.12.2001
• Edition: 7
• Subjects: ADHESIVES; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; DYES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS; GRINDING; MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE; METALLURGY; MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS; MISCELLANEOUS COMPOSITIONS; NATURAL RESINS; PAINTS; PERFORMING OPERATIONS; POLISHES; POLISHING; POLISHING COMPOSITIONS OTHER THAN FRENCH POLISH; SEMICONDUCTOR DEVICES; SKI WAXES; TRANSPORTING

Slurry comprises water, grinding grains and a polymer additive having hydrophilic as well as hydrophobic groups. An Independent claim is also included for a process for the production of a semiconductor component using the slurry. Preferred Features: The slurry has a pH of 7-11. Aufschlämmung zur Verwendung in einem chemisch-mechanischen Polierverfahren (CMP), die im wesentlichen aus Wasser, Schleifkörnern und einem Polymerzusatz, der sowohl hydrophile als auch hydrophobe Gruppen umfaßt, besteht, sowie Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements unter Verwendung eines CMP-Verfahrens mit einer solchen Aufschlämmung. In diesem Verfahren wird in einer Stufe eine erste Schicht aus einem Material ausgebildet, das in Bezug auf die Aufschlämmung hydrophobe Eigenschaften zeigt, sowie in einer weiteren Stufe eine Schicht aus einem Material, das in Bezug auf die Aufschlämmung hydrophile Eigenschaften besitzt.