Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Halbleiter- und Metallscheiben oder -folien

• Main Authors: STEINBACH, INGO, KOWITZ, ULRICH, HOEFS, HANS-ULRICH. DR, KUHN, RALF, LAMBERT, HANS-ULRICH
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 11.04.2013
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

Vorrichtung zur Herstellung von Halbleiter- und Metallscheiben oder -folien durch Erstarrung einer Schmelze eines Halbleiters oder Metalls oder eines Gemisches mehrerer Halbleiter und/oder Metalle auf einem bewegten Substrat, a) wobei die Vorrichtung einen oberhalb des Substrates angeordneten beheizten Gießrahmen enthält, b) wobei der Gießrahmen eine Bodenplatte aufweist, c) welche Bodenplatte an der Seite des Substrataustritts ein Fenster über 1 bis 100% der lichten Breite des Rahmens offen lässt, d) wobei sich die Breite des Rahmens quer zu einer Transportrichtung des Substrats erstreckt.