Device for determining thin film thickness and/or refractive index, illuminates specimen from two angles with time-offset, detects reflected light beams separately giving separate signals
The device has at least one radiation source (1) for irradiating the specimen (4) from two angles via an angle arrangement (3a,3b,5a,5c,7) that receives the reflected beams, a detector (6) for the reflected light beams and an evaluation device. A further arrangement enables time-offset exposure from...
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Format | Patent |
Language | English German |
Published |
19.10.2000
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Edition | 7 |
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Summary: | The device has at least one radiation source (1) for irradiating the specimen (4) from two angles via an angle arrangement (3a,3b,5a,5c,7) that receives the reflected beams, a detector (6) for the reflected light beams and an evaluation device. A further arrangement enables time-offset exposure from the two angles and separate detection of the reflected light beams to form separate signals, from which the film thickness and/or refractive index are formed in the evaluation device. Independent claims are also included for the following: a method of determining thickness and/or refractive index of thin films.
Eine Vorrichtung zur Messung der Dicke einer auf einem Substrat aufgebrachten Probe (4) und/oder deren Brechungsindex, umfassend mindestens eine Strahlungsquelle (1), Winkelmittel (3), um Strahlung aus zwei Winkeln auf die Probe zu strahlen und durch Reflexion von der Probe (4) zwei reflektierte Lichtstrahlen zu erhalten, eine Detektorvorrichtung (6), die das Signal, das von einem von der Probe (4) reflektierten Strahl erzeugt wird, mißt, und eine Auswertevorrichtung (9) umfaßt das weitere Mittel (12), die eine zeitversetzte Bestrahlung der Probe aus den zwei Winkeln und die getrennte Detektion der reflektierten Lichtstrahlen in der Detektorvorrichtung zur Bildung getrennter Signale ermöglichen, aus denen in der Auswertevorrichtung (9) die Schichtdicke und/oder der Brechungsindex bestimmbar sind. Mit einer solchen Vorrichtung können Schichtdicke und Brechungsindex einer dünnen Schicht im Bereich zwischen 100 nm und 20 mum, insbesondere im Submikrobereich, bestimmt werden, ohne daß hochpräzise Remissionsmessungen durchgeführt werden. Dabei kann die Vorrichtung als Handmeßvorrichtung ausgebildet sein, so daß sie insbesondere zum Einsatz in Fertigung und Qualitätskontrolle geeignet ist. |
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Bibliography: | Application Number: DE2000113238 |