Making bipolar element e.g. transistor operating in high gigahertz region, involves forming base layer, masking layer and second base semiconductor layer carrying ohmic electrode in metallic material

• Main Authors: RYUM, BYUNG RYUL, CHO, DEOK HO, HAN, TAE HYEON, LEE, SOO MIN
• Format: Patent
• Language: English; German
• Published: 29.03.2001
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Bipolar device is manufactured by forming base layer with an active base layer and a first base semiconductor electrode layer, from a semiconductor material of second type, on collector, forming a masking layer on active base layer, forming a second base semiconductor layer on first base semiconductor layer, and forming ohmic base electrode constructed in metallic material. A collector (111) is constructed in semiconductor material of a first type. A base layer is formed with an active base layer and a first base semiconductor electrode (123a) layer, from a semiconductor material of a second type, on the collector. A masking layer (191) is formed, covering the active base layer. A second base semiconductor layer is formed selectively on the first base semiconductor layer. An ohmic base electrode (129) is constructed in metallic material, selectively on the second base semiconductor electrode (123b). An Independent claim is included for the corresponding bipolar device. Verfahren zur Herstellung einer Bipolarvorrichtung sowie das Bipolarelement, bei welcher in-situ dotierte epitaktische Si- oder SiGe-Basisschichten anstatt ionenimplantierte Si-Basisschichten verwendet werden, um höhere Grenzfrequenzen zu erreichen. Die SiGe-Basis weist eine geringere Bandlücke auf als der Si-Emitter und ermöglicht einen höheren Stromgewinn, eine höhere Grenzfrequenz (f¶T¶) und eine höhere maximale Oszillationsfrequenz (f¶max¶). Die schmale Bandlücke der SiGe-Basis ermöglicht außerdem höhere Basisdotierungskonzentrationen. Daher ist der intrinsische Basiswiderstand verringert und der Rauschfaktor ist geringer. Parasitäre Basiswiderstände werden ebenfalls durch Verwenden eines Metallsilizids bei der ohmschen Basiselektrode verringert. Die Erfindung schafft bei vereinfachtem Herstellungsprozess verringerte Kosten sowie größere Wiederholbarkeit und Zuverlässigkeit.