ΜΗΧΑΝΙΣΜΟΣ ΚΑΙ ΜΕΘΟΔΟΣ ΕΝΑΠΟΘΕΣΗΣ ΗΜΙΑΓΩΓΙΜΟΥ ΥΛΙΚΟY

• Main Authors: REITER NICHOLAS A, POWELL RICKY C, DORER GARY L, COX STEVEN M, KAHLE TERENCE D, MCMASTER HAROLD A
• Format: Patent
• Language: Greek
• Published: 07.10.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUSENAMELS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; GLASS; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS; METALLURGY; MINERAL OR SLAG WOOL; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS,MINERALS OR SLAGS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

Μηχανισμός (12, 12a) και μέθοδος εναπόθεσης ημιαγώγιμου υλικού σε υπόστρωμα γυάλινου φύλλου (G) χρησιμοποιεί διανεμητή (22) που περιλαμβάνει θερμαινόμενο διαπερατό μέλος (24) διά μέσου του οποίου διέρχονται αέριος φορέας και ημιαγώγιμο υλικό για να παράσχουν ατμό που εναποτίθεται ως ημιαγώγιμο στρώμα στο μεταφερόμενο υπόστρωμα γυάλινου φύλλου. Το διαπερατό μέλος (24) είναι σωληνωτό και καθ' όλο το μήκος του διοχετεύεται τάση ηλεκτρικού ρεύματος που παρέχει τη θερμότητα, ενώ ο αέριος φορέας και ο ημιαγωγός ως σκόνη εισάγονται μέσα στο σωληνωτό διαπερατό μέλος για να εκρεύσουν από το εσωτερικό του ως ατμός. Κάλυμμα (34) που εκτείνεται γύρω από το σωληνωτό διαπερατό μέλος (24) διαθέτει άνοιγμα (36) διαμέσου του οποίου εκρέει ο ατμός για την εναπόθεση του ημιαγώγιμου στρώματος. Σε εκδοχή του μηχανισμού (12), το ημιαγώγιμο στρώμα εναποτίθεται στην πάνω επιφάνεια (56) του υποστρώματος του γυάλινου φύλλου (G), ενώ άλλη εκδοχή του μηχανισμού (12a) εναποθέτει το ημιαγώγιμο στρώμα στην κάτω επιφάνεια (54) του υποστρώματος. Apparatus (12, 12a) and a method for depositing a semiconductor material on a glass sheet substrate (G) utilizes a distributor (22) including a heated permeable member (24) through which a carrier gas and a semiconductor material are passed to provide a vapor that is deposited as a semiconductor layer on the conveyed glass sheet substrate. The permeable member (24) is tubular and has an electrical voltage applied along its length to provide the heating, and the carrier gas and the semiconductor as a powder are introduced into the tubular permeable member for flow outwardly therefrom as the vapor. A shroud (34) extending around the tubular permeable member (24) has an opening (36) through which the vapor flows for the semiconductor layer deposition. In one embodiment of apparatus (12), the semiconductor layer is deposited on an upwardly facing surface (56) of the glass sheet substrate (G) while another embodiment of the apparatus (12a) deposits the semiconductor layer on a downwardly facing surface (54) of the substrate.