一种抗干扰脉冲中子发生器

本实用新型公开了一种抗干扰脉冲中子发生器，涉及中子发生器技术领域；本实用新型主要包括中子发生器本体、减震支架、减震组件一和减震组件二，减震支架包括水平向设置的矩形框架，矩形框架底部安装有四个呈矩形分布的支撑杆，支撑杆的下方活动设置有垫块，减震组件一连接在支撑杆与垫块之间，中子发生器本体活动设置在矩形框架的开口内，减震组件二的数量为多个且均匀分布，减震组件二连接在中子发生器本体与矩形框架的内壁之间。在本实用新型中，通过将中子发生器本体设置在减震支架上，并通过减震组件一与减震组件二的设置，可以进一步减少中子发生器的振动，通过吸收和分散振动能量来提高抗干扰性能。...

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Bibliographic Details
Format Patent
LanguageChinese
Published 28.06.2024
Subjects
ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
PLASMA TECHNIQUE
PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS
PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS
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Summary:本实用新型公开了一种抗干扰脉冲中子发生器，涉及中子发生器技术领域；本实用新型主要包括中子发生器本体、减震支架、减震组件一和减震组件二，减震支架包括水平向设置的矩形框架，矩形框架底部安装有四个呈矩形分布的支撑杆，支撑杆的下方活动设置有垫块，减震组件一连接在支撑杆与垫块之间，中子发生器本体活动设置在矩形框架的开口内，减震组件二的数量为多个且均匀分布，减震组件二连接在中子发生器本体与矩形框架的内壁之间。在本实用新型中，通过将中子发生器本体设置在减震支架上，并通过减震组件一与减震组件二的设置，可以进一步减少中子发生器的振动，通过吸收和分散振动能量来提高抗干扰性能。
Bibliography:Application Number: CN202322954135U