一种宽频率内高电源抑制比的带隙基准电路

本实用新型公开了一种宽频率内高电源抑制比的带隙基准电路，包括运算放大器VG、三极管Q0和Q1、MOS管M0，电阻R0、R1和R2、电容C0，所述运算放大器VG的正向输入端记为VP点，反相输入端记为VN点，运算放大器VG的输出端与MOS管M0的栅极相连,MOS管M0的漏极输出点记为VBG点，两个阻值相等的电阻R1分别连接于VBG点\VP点和VBG点/VN点之间，所述电阻R2和电容C0串联后与两个R1分别并联连接，电阻R0的两端分别与VP点和三极管Q0的发射极相连，三极管Q0和Q1的基极分别与各自的集电极相连，且三极管Q0和Q1的集电极相连接，三极管Q1的发射极与VN点相连，所述MOS管M0的源极...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Format Patent
LanguageChinese
Published 02.08.2019
Subjects
CONTROLLING
PHYSICS
REGULATING
SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
Online AccessGet full text

Cover

More Information
Summary:本实用新型公开了一种宽频率内高电源抑制比的带隙基准电路，包括运算放大器VG、三极管Q0和Q1、MOS管M0，电阻R0、R1和R2、电容C0，所述运算放大器VG的正向输入端记为VP点，反相输入端记为VN点，运算放大器VG的输出端与MOS管M0的栅极相连,MOS管M0的漏极输出点记为VBG点，两个阻值相等的电阻R1分别连接于VBG点\VP点和VBG点/VN点之间，所述电阻R2和电容C0串联后与两个R1分别并联连接，电阻R0的两端分别与VP点和三极管Q0的发射极相连，三极管Q0和Q1的基极分别与各自的集电极相连，且三极管Q0和Q1的集电极相连接，三极管Q1的发射极与VN点相连，所述MOS管M0的源极连接电源VDD。本实用新型可以获得较宽频域内的高PSRR(电源抑制比)。
Bibliography:Application Number: CN201821943906U