一种碳化硅衬底基面位错缺陷数字孪生控制系统及方法

• Format: Patent
• Language: Chinese
• Published: 02.09.2025
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

本发明涉及半导体材料加工技术领域，具体涉及一种碳化硅衬底基面位错缺陷数字孪生控制系统及方法，数字孪生控制方法包括建立数字孪生模型；计算BPD密度径向分布函数和浓度匹配函数，实施动态调整的掩膜腐蚀策略；计算缺陷密度梯度映射算法实施分级扫描策略，生成实时缺陷密度矩阵；生成切割参数，进行动态路径切割；进行废料再生处理和纯度控制；动态调整掩膜腐蚀策略、分级扫描策略、切割参数和纯度控制策略，数字孪生控制系统应用于上述方法，实时优化碳化硅衬底基面位错缺陷检测与再生过程中的工艺参数，实现全流程闭环控制，更加适配大尺寸碳化硅衬底的产业化需求。