一种胶体量子点基宽带超辐射发光二极管及制备方法

一种胶体量子点基宽带超辐射发光二极管及制备方法,属于半导体器件技术领域,解决现有技术中胶体量子点在超辐射发光二极管应用中因光谱调控精度不足使光学增益提升受限的技术问题。所述二极管包括:分布式布拉格反射镜,由ITO阴极、电子传输层、CQD有源层、空穴传输层、间隔层与电流聚焦结构层、空穴注入层和Ag阳极由下至上依次设置并组成的巴条结构;分布式布拉格反射镜是横向布拉格反射波导的结构,该结构包括多对交替层;CQD有源层内填充有核壳胶体量子点;间隔层与电流聚焦结构层为狭缝结构;Ag阳极沿平面方向与所述分布式布拉格反射镜形成横向腔结构。本发明的超辐射发光二极管适用于宽带光学相干断层扫描、陀螺仪光纤传感等技...

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Format Patent
LanguageChinese
Published 22.08.2025
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Summary:一种胶体量子点基宽带超辐射发光二极管及制备方法,属于半导体器件技术领域,解决现有技术中胶体量子点在超辐射发光二极管应用中因光谱调控精度不足使光学增益提升受限的技术问题。所述二极管包括:分布式布拉格反射镜,由ITO阴极、电子传输层、CQD有源层、空穴传输层、间隔层与电流聚焦结构层、空穴注入层和Ag阳极由下至上依次设置并组成的巴条结构;分布式布拉格反射镜是横向布拉格反射波导的结构,该结构包括多对交替层;CQD有源层内填充有核壳胶体量子点;间隔层与电流聚焦结构层为狭缝结构;Ag阳极沿平面方向与所述分布式布拉格反射镜形成横向腔结构。本发明的超辐射发光二极管适用于宽带光学相干断层扫描、陀螺仪光纤传感等技术领域。
Bibliography:Application Number: CN20251115110