一种双模冗余滞回特性的欠压锁定电路结构

本发明公开了一种双模冗余滞回特性的欠压锁定电路结构，包括：通过电压基准模块I1，确保了电路在低电压环境下仍能提供稳定的基准电压，有效提高了电路的抗干扰能力和稳定性。同时，基准比较模块I2采用反向施密特单元和多个反相器，实现了滞回比较功能，避免了因电压波动而引起的误动作。电平检测复位模块I3通过多组PMOS和NMOS管的组合，以及电容和电阻的巧妙配置，实现了对输入电压的精准检测和快速复位，进一步提升了电路的响应速度和稳定性。本发明不仅提高了数字隔离器的性能，还降低了误动作的风险，为系统的稳定运行提供了有力保障，适用于各种需要高精度和低功耗要求的电子设备中。...

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Format Patent
LanguageChinese
Published 18.07.2025
Subjects
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
ELECTRICITY
PULSE TECHNIQUE
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Summary:本发明公开了一种双模冗余滞回特性的欠压锁定电路结构，包括：通过电压基准模块I1，确保了电路在低电压环境下仍能提供稳定的基准电压，有效提高了电路的抗干扰能力和稳定性。同时，基准比较模块I2采用反向施密特单元和多个反相器，实现了滞回比较功能，避免了因电压波动而引起的误动作。电平检测复位模块I3通过多组PMOS和NMOS管的组合，以及电容和电阻的巧妙配置，实现了对输入电压的精准检测和快速复位，进一步提升了电路的响应速度和稳定性。本发明不仅提高了数字隔离器的性能，还降低了误动作的风险，为系统的稳定运行提供了有力保障，适用于各种需要高精度和低功耗要求的电子设备中。
Bibliography:Application Number: CN202510396108