半导体异质结构、其制备方法及应用

本发明公开了种半导体异质结构、其制备方法及应用。该半导体异质结构包括第半导体材料和第二半导体材料，该第半导体材料与该第二半导体材料相互接合且形成实质上的晶格匹配，其中该第半导体材料为AlInGaN，其中4.72≤x/y≤5.10，0≤x≤1，0<y<1，而该第二半导体材料为GaN。优选的，0.2<(1-x-y)≤0.6。该制备方法可以包括：在生长形成GaN层后，通过向外延生长设备的反应腔室内同时和/或脉冲通入铝源、铟源、镓源及氮源的方式生长形成AlInGaN层。利用本发明的半导体异质结构，可以有效简化半导体器件的生产工艺及提高优化半导体器件的可靠性，特别是可以从根本上消除HE...

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Format Patent
LanguageChinese
Published 11.01.2019
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:本发明公开了种半导体异质结构、其制备方法及应用。该半导体异质结构包括第半导体材料和第二半导体材料，该第半导体材料与该第二半导体材料相互接合且形成实质上的晶格匹配，其中该第半导体材料为AlInGaN，其中4.72≤x/y≤5.10，0≤x≤1，0<y<1，而该第二半导体材料为GaN。优选的，0.2<(1-x-y)≤0.6。该制备方法可以包括：在生长形成GaN层后，通过向外延生长设备的反应腔室内同时和/或脉冲通入铝源、铟源、镓源及氮源的方式生长形成AlInGaN层。利用本发明的半导体异质结构，可以有效简化半导体器件的生产工艺及提高优化半导体器件的可靠性，特别是可以从根本上消除HEMT等器件因应力而导致的可靠性问题，并使其势垒层与GaN层之间保持更为理想的自发极化强度。 The invention discloses a semiconductor heterostructure, and a preparation method and applications thereof. The semiconductor heterostructure comprises a first semiconductor material and a second semiconductor material. The first semiconductor material and the second semiconductor material are mutually joined to form virtual lattice matching. The first semiconductor material is AlxInyGa1-x-yN, wherein 4.72</=x/y</=5.10, 0</=x</=1 and 0<y<1. The second semiconductor material is GaN. Preferably, 0.2<(1-x-y)</=0.6. The preparation method comprises steps: after a GaN layer is formed through growth, an AlxInyGa1-x-yN layer is formed in a mode of introducing an aluminum source, an ind
Bibliography:Application Number: CN2015176931