DEPOSITION METHODOLOGY FOR SUPERCONDUCTOR INTERCONNECTS
A method of forming a superconductor interconnect structure is disclosed. The method includes forming a dielectric layer overlying a substrate, forming an interconnect opening in the dielectric layer, and moving the substrate to a deposition chamber. The method further includes depositing a supercon...
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Format | Patent |
Language | English French |
Published |
09.11.2021
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Summary: | A method of forming a superconductor interconnect structure is disclosed. The method includes forming a dielectric layer overlying a substrate, forming an interconnect opening in the dielectric layer, and moving the substrate to a deposition chamber. The method further includes depositing a superconducting metal in the interconnect opening, by performing a series of superconducting deposition and cooling processes to maintain a chamber temperature at or below a predetermined temperature until the superconducting metal has a desired thickness, to form a superconducting element in the superconductor interconnect structure.
Procédé de formation d'une structure d'interconnexion supraconductrice. Le procédé consiste à former une couche diélectrique recouvrant un substrat, à former une ouverture d'interconnexion dans la couche diélectrique, et à déplacer le substrat vers une chambre de dépôt. Le procédé consiste en outre à déposer un métal supraconducteur dans l'ouverture d'interconnexion, par réalisation d'une série de processus de dépôt et de refroidissement supraconducteurs pour maintenir une température de chambre à une température prédéfinie ou sous celle-ci jusqu'à ce que le métal supraconducteur ait une épaisseur souhaitée, pour former un élément supraconducteur dans la structure d'interconnexion supraconductrice. |
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Bibliography: | Application Number: CA20183060218 |