METHOD FOR PRODUCING POLYCRYSTALLINE SILICON

The invention relates to a method for producing granulated polycrystalline silicon in which polycrystalline silicon is deposited on carrier bodies heated by direct passage of electric current which enables polycrystalline silicon rods to be produced. Said carrier bodies are maintained on a base plat...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors POPP, FRIEDRICH, HERTLEIN, HARALD
Format Patent
LanguageEnglish
French
Published 12.03.2019
Subjects
Online AccessGet full text

Cover

Loading…
Abstract The invention relates to a method for producing granulated polycrystalline silicon in which polycrystalline silicon is deposited on carrier bodies heated by direct passage of electric current which enables polycrystalline silicon rods to be produced. Said carrier bodies are maintained on a base plate of a reactor and are supplied with a current by electrodes, the deposit of polycrystalline silicon is stopped when the polycrystalline silicon rods reach a desired end diameter. Said polycrystalline silicon rods are then removed from the reactor and the reactor is equipped with new carrier bodies to produce additional polycrystalline silicon rods. The base plate is suctioned off and cleaned with a liquid or solid cleaning medium after extraction of the polycrystalline silicon rods and prior to equipping the reactor with new carrier bodies. L'invention concerne un procédé de production de silicium polycristallin, selon lequel du silicium polycristallin est déposé sur des éléments de support chauffés en étant parcourus directement par un courant, ce qui permet de produire des bâtonnets de silicium polycristallin, les éléments de support étant maintenus sur une plaque de base d'un réacteur et alimentés en courant par le biais d'électrodes, le dépôt de silicium polycristallin étant terminé lorsque les bâtonnets de silicium polycristallin ont atteint un diamètre final souhaité, les bâtonnets de silicium polycristallin étant ensuite retirés du réacteur et le réacteur étant muni de nouveaux éléments de support afin de permettre la production de bâtonnets de silicium polycristallin supplémentaires, la plaque de base du réacteur étant nettoyée une fois les bâtonnets de silicium polycristallin extraits du réacteur et avant que le réacteur ne soit muni de nouveaux éléments de support. L'invention est caractérisée en ce qu'un nettoyage de la plaque de base a lieu en au moins deux étapes de nettoyage lors desquelles au moins deux fluides de nettoyage d'état physique différent sont utilisés.
AbstractList The invention relates to a method for producing granulated polycrystalline silicon in which polycrystalline silicon is deposited on carrier bodies heated by direct passage of electric current which enables polycrystalline silicon rods to be produced. Said carrier bodies are maintained on a base plate of a reactor and are supplied with a current by electrodes, the deposit of polycrystalline silicon is stopped when the polycrystalline silicon rods reach a desired end diameter. Said polycrystalline silicon rods are then removed from the reactor and the reactor is equipped with new carrier bodies to produce additional polycrystalline silicon rods. The base plate is suctioned off and cleaned with a liquid or solid cleaning medium after extraction of the polycrystalline silicon rods and prior to equipping the reactor with new carrier bodies. L'invention concerne un procédé de production de silicium polycristallin, selon lequel du silicium polycristallin est déposé sur des éléments de support chauffés en étant parcourus directement par un courant, ce qui permet de produire des bâtonnets de silicium polycristallin, les éléments de support étant maintenus sur une plaque de base d'un réacteur et alimentés en courant par le biais d'électrodes, le dépôt de silicium polycristallin étant terminé lorsque les bâtonnets de silicium polycristallin ont atteint un diamètre final souhaité, les bâtonnets de silicium polycristallin étant ensuite retirés du réacteur et le réacteur étant muni de nouveaux éléments de support afin de permettre la production de bâtonnets de silicium polycristallin supplémentaires, la plaque de base du réacteur étant nettoyée une fois les bâtonnets de silicium polycristallin extraits du réacteur et avant que le réacteur ne soit muni de nouveaux éléments de support. L'invention est caractérisée en ce qu'un nettoyage de la plaque de base a lieu en au moins deux étapes de nettoyage lors desquelles au moins deux fluides de nettoyage d'état physique différent sont utilisés.
Author POPP, FRIEDRICH
HERTLEIN, HARALD
Author_xml – fullname: POPP, FRIEDRICH
– fullname: HERTLEIN, HARALD
BookMark eNrjYmDJy89L5WTQ8XUN8fB3UXDzD1IICPJ3CXX29HNXCPD3iXQOigwOcfTx8fRzVQj29PF09vfjYWBNS8wpTuWF0twM8m6uIc4euqkF-fGpxQWJyal5qSXxzo5GlqbmpsYGzsaEVQAAFPQmZw
ContentType Patent
DBID EVB
DatabaseName esp@cenet
DatabaseTitleList
Database_xml – sequence: 1
  dbid: EVB
  name: esp@cenet
  url: http://worldwide.espacenet.com/singleLineSearch?locale=en_EP
  sourceTypes: Open Access Repository
DeliveryMethod fulltext_linktorsrc
Discipline Medicine
Chemistry
Sciences
DocumentTitleAlternate PROCEDE DE PRODUCTION DE SILICIUM POLYCRISTALLIN
ExternalDocumentID CA2957530C
GroupedDBID EVB
ID FETCH-epo_espacenet_CA2957530C3
IEDL.DBID EVB
IngestDate Fri Jul 19 14:33:07 EDT 2024
IsOpenAccess true
IsPeerReviewed false
IsScholarly false
Language English
French
LinkModel DirectLink
MergedId FETCHMERGED-epo_espacenet_CA2957530C3
Notes Application Number: CA20152957530
OpenAccessLink https://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20190312&DB=EPODOC&CC=CA&NR=2957530C
ParticipantIDs epo_espacenet_CA2957530C
PublicationCentury 2000
PublicationDate 20190312
PublicationDateYYYYMMDD 2019-03-12
PublicationDate_xml – month: 03
  year: 2019
  text: 20190312
  day: 12
PublicationDecade 2010
PublicationYear 2019
RelatedCompanies WACKER CHEMIE AG
RelatedCompanies_xml – name: WACKER CHEMIE AG
Score 3.1945844
Snippet The invention relates to a method for producing granulated polycrystalline silicon in which polycrystalline silicon is deposited on carrier bodies heated by...
SourceID epo
SourceType Open Access Repository
SubjectTerms AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE
APPARATUS THEREFOR
CHEMISTRY
COMPOUNDS THEREOF
CRYSTAL GROWTH
INORGANIC CHEMISTRY
METALLURGY
NON-METALLIC ELEMENTS
PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE
REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL
SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE
SINGLE-CRYSTAL-GROWTH
UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
Title METHOD FOR PRODUCING POLYCRYSTALLINE SILICON
URI https://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20190312&DB=EPODOC&locale=&CC=CA&NR=2957530C
hasFullText 1
inHoldings 1
isFullTextHit
isPrint
link http://utb.summon.serialssolutions.com/2.0.0/link/0/eLvHCXMwdV3fT8IwEL4gGvVNUYO_92D25KLbOjYfFjPazWFgXWAYeCJsLcEXJDLjv-91AfWFt6ZNru0l16_X3n0HcId3cGtWuFMDoVsYitHLmBZCGtI0hVMgxjpSJSf3klY8JK8jZ1SD-SYXpuIJ_a7IEdGiCrT3sjqvl3-PWKyKrVw95O_Y9fEcZT7T194xopttWjpr-2HKGac6pT4N9KTvW094L7Ef6Q7sKtItxbIfvrVVTsryP6BER7CXoqxFeQw1uWjAAd3UXWvAfm_93Y3NteWtTuC-F2YxZxo6bVra52xIO8mLlvLumPbHgyxAnzwJtUGn26E8OYXbKMxobOC0k98dTmiwWZ99BnX0-2UTNM-bkdxxTVHMBPEkyVVJMCJIyy4kcUXrHJrbpFxsH7qEQ6UnFUZlWldQLz-_5DXiapnfVCr5AZv6eL4
link.rule.ids 230,308,780,885,25564,76547
linkProvider European Patent Office
linkToHtml http://utb.summon.serialssolutions.com/2.0.0/link/0/eLvHCXMwdV1LT4NAEJ7Uaqw3rZr6LAfDSaLAUvBATLuAVMsjLTXtiRR2G73UxmL8-84SUC-9bXaT2dlJZr-Z3XkA3KANri1zc6EgdDNFVPRSFjnjCldVZuSIsQYXyclB2POn5HlmzBrwVufClHVCv8viiKhROep7Ud7X679HLKeMrdzcZe849fHoJbYjV94xopuuarIzsN04ciIqU2rTvhyObe0B7RL9nu7Arin67QrD6XUgclLW_wHFO4S9GGmtiiNo8FUbWrTuu9aG_aD67sZhpXmbY7gN3MSPHAmdNikeR86UDsMnKY5GczqeT5I--uShK02GoyGNwhPoem5CfQW3TX9PmNJ-zZ9-Ck30-3kHJMtakswwVZYvGbE4yURLMMJIT885MVnvDDrbqJxvX-pCy0-CUYpcvVzAgZCZCKlStUtoFp9f_AoxtsiuS_H8AG4Je68
openUrl ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info%3Aofi%2Fenc%3AUTF-8&rfr_id=info%3Asid%2Fsummon.serialssolutions.com&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Apatent&rft.title=METHOD+FOR+PRODUCING+POLYCRYSTALLINE+SILICON&rft.inventor=POPP%2C+FRIEDRICH&rft.inventor=HERTLEIN%2C+HARALD&rft.date=2019-03-12&rft.externalDBID=C&rft.externalDocID=CA2957530C