METHOD FOR PRODUCING POLYCRYSTALLINE SILICON

• Main Authors: POPP, FRIEDRICH, HERTLEIN, HARALD
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 12.03.2019
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; CHEMISTRY; COMPOUNDS THEREOF; CRYSTAL GROWTH; INORGANIC CHEMISTRY; METALLURGY; NON-METALLIC ELEMENTS; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

The invention relates to a method for producing granulated polycrystalline silicon in which polycrystalline silicon is deposited on carrier bodies heated by direct passage of electric current which enables polycrystalline silicon rods to be produced. Said carrier bodies are maintained on a base plate of a reactor and are supplied with a current by electrodes, the deposit of polycrystalline silicon is stopped when the polycrystalline silicon rods reach a desired end diameter. Said polycrystalline silicon rods are then removed from the reactor and the reactor is equipped with new carrier bodies to produce additional polycrystalline silicon rods. The base plate is suctioned off and cleaned with a liquid or solid cleaning medium after extraction of the polycrystalline silicon rods and prior to equipping the reactor with new carrier bodies. L'invention concerne un procédé de production de silicium polycristallin, selon lequel du silicium polycristallin est déposé sur des éléments de support chauffés en étant parcourus directement par un courant, ce qui permet de produire des bâtonnets de silicium polycristallin, les éléments de support étant maintenus sur une plaque de base d'un réacteur et alimentés en courant par le biais d'électrodes, le dépôt de silicium polycristallin étant terminé lorsque les bâtonnets de silicium polycristallin ont atteint un diamètre final souhaité, les bâtonnets de silicium polycristallin étant ensuite retirés du réacteur et le réacteur étant muni de nouveaux éléments de support afin de permettre la production de bâtonnets de silicium polycristallin supplémentaires, la plaque de base du réacteur étant nettoyée une fois les bâtonnets de silicium polycristallin extraits du réacteur et avant que le réacteur ne soit muni de nouveaux éléments de support. L'invention est caractérisée en ce qu'un nettoyage de la plaque de base a lieu en au moins deux étapes de nettoyage lors desquelles au moins deux fluides de nettoyage d'état physique différent sont utilisés.