METHOD FOR PRODUCING POLYCRYSTALLINE SILICON

• Main Authors: POPP, FRIEDRICH, HERTLEIN, HARALD
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 02.01.2018
• Subjects: CHEMISTRY; COMPOUNDS THEREOF; INORGANIC CHEMISTRY; METALLURGY; NON-METALLIC ELEMENTS

The invention relates to a method for producing polycrystalline silicon. A reaction gas containing a silicon-containing component and hydrogen is introduced into a reactor which comprises at least one support body made of silicon, said support body being heated by a direct passage of current. The silicon-containing component is decomposed, and polycrystalline silicon is deposited on the at least one support body. The invention is characterized in that the at least one support body made of silicon has an oxide layer which is removed before starting to deposit the polycrystalline silicon on the at least one support body, and the at least one support body is heated to a temperature of 1100-1200 °C and exposed to an atmosphere containing hydrogen at a pressure of 0.1 to 5 bar, wherein a flushing gas containing hydrogen is introduced into the reactor. L'invention concerne un procédé de production de silicium polycristallin dans lequel un gaz de réaction comprenant un composant contenant du silicium et de l'hydrogène est introduit dans un réacteur, le réacteur comprenant au moins un corps de support en silicium qui est chauffé par passage direct de courant, le composant contenant du silicium étant décomposé et du silicium polycristallin se déposant sur l'au moins un corps de support. L'invention est caractérisée en ce que l'au moins un corps de support constitué de silicium comporte une couche d'oxyde qui est éliminée avant le dépôt de silicium polycristallin sur l'au moins un corps de support en raison du fait que l'au moins un corps de support est chauffé à une température de 1100 à 1200°C et est exposé à une atmosphère contenant de l'hydrogène à une pression de 0,1 à 5 bars à l'aide d'un gaz de purge contenant de l'hydrogène amené au réacteur.