METHOD FOR MODIFYING AN INITIAL STRESS STATE OF AN ACTIVE LAYER TO A FINAL STRESS STATE

• Main Authors: LE VAILLANT, YVES-MATTHIEU, NAVARRO, ETIENNE
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 02.01.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

This method comprises the steps of a) providing a first substrate (1) comprising the active layer (10) made from a first material with Young's modulus E1, and thickness h1; b) providing a second substrate (2) made from a second material with Young's modulus E2, and thickness h2, c) bending the first substrate (1) and the second substrate (2) in such a way that each has an arched shape having radius of curvature R; d) assembling the second substrate (2) to the active layer (10) in such a way that the second substrate (2) conforms to the shape of the first substrate (1 ); e) restoring the initial shape, at rest, of the second substrate (2), the method being remarkable in that the second material of the second substrate (2) is a flexible material that satisfies the equation E2/E1 < 10-2, in that the thickness of the second substrate (2) satisfies the equation h2/h1= 104, and in that the radius of curvature satisfies the equation R = h2/2e. Ce procédé comporte les étapes a) fournir un premier substrat (1 ) comprenant la couche active (10) réalisée dans un premier matériau de module d'Young E1, et d'épaisseur h1; b) fournir un deuxième substrat (2) réalisé dans un deuxième matériau de module d'Young E2, et d'épaisseur h2, c) incurver le premier substrat (1 ) et le deuxième substrat (2) de sorte qu'ils présentent chacun une forme arquée d'un rayon de courbure R; d) assembler le deuxième substrat (2) à la couche active (10) de sorte que le deuxième substrat (2) épouse la forme du premier substrat (1 ); e) rétablir la forme initiale au repos du deuxième substrat (2), le procédé étant remarquable en ce que le deuxième matériau du deuxième substrat (2) est un matériau souple vérifiant la relation E 2 /E 1 < 10-2, en ce que l'épaisseur du deuxième substrat (2) vérifie la relation h 2 /h 1 = 104, et en ce que le rayon de courbure vérifie la. relation R = h 2 /2e.