METHOD FOR PROCESSING A GAS AND A DEVICE FOR PERFORMING THE METHOD
The present invention relates to a method and device for processing a gas by forming microwave plasmas of the gas. The gas that is to be processed is set in a two or three co-axial vortex flow inside the device and exposed to a microwave field to form the plasma in the inner co-axial vortex flow, wh...
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Format | Patent |
Language | English French |
Published |
09.07.2019
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Summary: | The present invention relates to a method and device for processing a gas by forming microwave plasmas of the gas. The gas that is to be processed is set in a two or three co-axial vortex flow inside the device and exposed to a microwave field to form the plasma in the inner co-axial vortex flow, which subsequently is expelled as a plasma afterglow through an outlet of the device. The device is provided with a microwave field choking effect by having a diameter of the exit channel larger than zero but smaller than 1/16 of the wavelength of the standing microwave within the microwave chamber and a length, ?, of the exit channel that may correspondingly have one of the following ranges: from a factor larger than zero but smaller than (n+1/8), n G {0, 1, 2, 3}, of the wavelength of the standing microwave within the microwave chamber.
La présente invention concerne un procédé et un dispositif de traitement de gaz par formation de plasmas par micro-onde du gaz. Le gaz à traiter est amener à former un écoulement à deux ou trois tourbillons coaxiaux à l'intérieur du dispositif, puis est exposé à un champ de micro-ondes afin de former le plasma dans l'écoulement tourbillonnaire coaxial interne, qui est ensuite expulsé en tant que postdécharge de plasma par un orifice de sortie du dispositif. Le dispositif permet un effet d'étranglement du champ de micro-ondes du fait que le diamètre du canal de sortie est supérieur à zéro mais inférieur au 1/16 de la longueur d'onde de la micro-onde présente dans la chambre à micro-ondes, et de la même manière, que la longueur E du canal de sortie peut se situer dans la plage suivante, allant d'un facteur supérieur à zéro mais inférieur à (n + 1/8), n e {0, 1, 2, 3}, de la longueur d'onde de la micro-onde présente dans la chambre à micro-ondes. |
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Bibliography: | Application Number: CA20122833965 |