SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE

• Main Authors: NOICHI, TAKUYA, MIKI, TAKAHITO, OKADA, YUICHI
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 16.02.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A semiconductor light emitting device, has a package constituted by the lamination of a first insulating layer having a pair of positive and negative conductive wires formed on its upper face, an inner-layer wire below the first insulating layer, and a second insulating layer below the inner-layer wire; a semiconductor light emitting element that has a pair of positive and negative electrodes on the same face side and that is disposed with these electrodes opposite the conductive wires; and a sealing member that covers the semiconductor light emitting element, wherein part of the conductive wires is formed extending in the outer edge direction of the sealing member from directly beneath the semiconductor light emitting element, on the upper face of the first insulating layer, and is connected to the inner-layer wire via a conductive wire disposed in the thickness direction of the package, and the inner-layer wire is disposed so as to be spaced apart from the outer periphery of the semiconductor light emitting element in a see-through view of the package from the upper face side of the first insulating layer. La présente invention a trait à un dispositif électroluminescent à semi-conducteurs permettant d'obtenir une efficacité lumineuse plus élevée. Plus particulièrement, la présente invention a trait à un dispositif électroluminescent à semi-conducteurs (10) comprenant : un boîtier (11) qui contient au moins une première couche isolante, une seconde couche isolante, des fils conducteurs (14a, 14b) formés sur la surface de la première couche isolante et un fil de couche interne disposé entre la première couche isolante et la seconde couche isolante ; un élément électroluminescent à semi-conducteurs (12) monté sur la première couche isolante du boîtier (11) ; et un élément d'étanchéité (13) formé sur le boîtier (11) de manière à recouvrir l'élément électroluminescent à semi-conducteurs (12). Le fil de couche interne est formé de manière à éviter la région se trouvant juste en dessous de la région périphérique de l'élément électroluminescent à semi-conducteurs (12).