HIGH EFFICIENCY GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR SOLAR CELL WITH OXIDIZED WINDOW LAYER

• Main Authors: YOUTSEY, CHRISTOPHER, MCCALLUM, DAVID S, DALLESASSE, JOHN M, PAN, NOREN, ELARDE, VICTOR C
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 23.08.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present application utilizes an oxidation process to fabricating a Group III-V compound semiconductor solar cell device. By the oxidation process, a window layer disposed on a cell unit is oxidized to enhance the efficiency of the solar cell device. The oxidized window has an increased band gap to minimize the surface recombination of electrons and holes. The oxidized window also improves transparency at the wavelengths that were absorbed in the conventional window layer. La présente invention utilise un processus d'oxydation pour fabriquer un dispositif de cellule solaire à semi-conducteur composé du groupe III-V. Par le processus d'oxydation, une couche de fenêtre agencée sur une unité de cellule est oxydée afin d'améliorer le rendement du dispositif de cellule solaire. La fenêtre oxydée a une bande interdite augmentée pour minimiser la recombinaison en surface d'électrons et de trous. La fenêtre oxydée améliore également la transparence aux longueurs d'onde qui étaient absorbées dans la couche de fenêtre classique.