PHASE-SEPARATED DIELECTRIC STRUCTURE FABRICATION PROCESS

A process for fabricating an electronic device including: depositing a layer comprising a semiconductor; liquid depositing a dielectric composition comprising a lower-k dielectric material, a higher-k dielectric material, and a liquid, wherein the lower-k dielectric material and the higher-k dielect...

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Main Authors MAHABADI, HADI K, ONG, BENG S, SMITH, PAUL F, WU, YILIANG
Format Patent
LanguageEnglish
French
Published 12.07.2016
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Summary:A process for fabricating an electronic device including: depositing a layer comprising a semiconductor; liquid depositing a dielectric composition comprising a lower-k dielectric material, a higher-k dielectric material, and a liquid, wherein the lower-k dielectric material and the higher-k dielectric material are not phase separated prior to the liquid depositing; and causing phase separation of the lower-k dielectric material and the higher-k dielectric material to form a phase-separated dielectric structure wherein the lower-k dielectric material is in a higher concentration than the higher-k dielectric material in a region of the dielectric structure closest to the layer comprising the semiconductor, wherein the depositing the layer comprising the semiconductor is prior to the liquid depositing the dielectric composition or subsequent to the causing phase separation. Procédé de fabrication dun dispositif électronique comprenant ceci : déposer une couche comprenant un semiconducteur; effectuer le dépôt liquide dune composition diélectrique comprenant un matériau diélectrique à k inférieur, un matériau diélectrique à k supérieur et un liquide, où le matériau diélectrique à k inférieur et le matériau diélectrique à k supérieur ne subissent pas de séparation des phases avant le dépôt liquide; et entraîner la séparation de phase du matériau diélectrique à k inférieur et du matériau diélectrique à k supérieur pour former une structure diélectrique à phases séparées, où le matériau diélectrique à k inférieur se trouve en plus grande concentration que le matériau diélectrique à k supérieur, dans une zone de la structure diélectrique située le plus près possible de la couche comprenant le semiconducteur, et où le dépôt de la couche comprenant le semiconducteur se fait avant le dépôt liquide de la composition diélectrique ou encore après la séparation de phase.
Bibliography:Application Number: CA20082627393