dispositivo semicondutor nanoestruturado do tipo varistor constituído de polímero condutor e óxido de zinco e metais

• Main Authors: ELDER ALPES DE VASCONCELOS, JORLANDIO FRANCISCO FELIX, WALTER MENDES DE AZEVEDO, ERONIDES FELISBERTO DA SILVA JUNIOR
• Format: Patent
• Language: Portuguese
• Published: 18.02.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

dispositivo semicondutor nanoestruturado do tipo varistor constituído de polimero condutor e oxido de zinco e metais. refere-se a presente invenção a um dispositivo nanométrico sem icond utor constituído de uma heterojunção polímero condutor (pani) e óxido de zinco (zno), cujo monitoramento das propriedades de dopagem e do grau de oxidação do polímero condutor e das dimensões físicas dos filmes de óxidos de zinco consegue-se obter dispositivos eletrônicos com características elétricas especificas, com esta tecnologia é possível obter uma junção do tipo p-n semicondutora com características de diodo retificador como também obter um dispositivo do tipo varistor com tensões de ruptura controlada, cujas características inéditas estamos solicitando privilégio de invenção. o dispositivo é composto de um filme metálico, ouro ou alumínio, um filme fino de polianilina de espessura e tamanhos variados, um filme de oxido de zinco de espessura e tamanhos e finalmente contatos metálicos de alumínio ou ouro conforme mostra figura (1). as características elétricas destes novos dispositivos são superiores aos dispositivos comerciais devido ao fato de ser um dispositivo híbrido orgânico o que torna estatecnologia mais barata e mais acessível de ser produzido. outro aspecto importante é a possibilidade do controle da tensão de ruptura do dispositivo que é obtida em função do grau de dopagem e da espessura dos componentes ativos. The present invention relates to a semiconducting nanodevice comprising a heterojunction made of a conducting polymer (PANI) and zinc oxide (ZnO). Electronic devices having specific electric characteristics can be obtained by controlling the doping properties, the degree of oxidation of the conducting polymer and the physical dimensions of the zinc oxide films. This technology can be used to produce a semiconducting p-n junction having with rectifier diode characteristics, as well as a varistor-type device with controlled breakdown voltages, and having unprecedented features for which protection is sought. The device comprises a metallic film made of either gold or aluminium, a thin polyaniline film of various thicknesses and sizes, a zinc oxide film of various thickness and sizes, and finally metallic contacts made of aluminium or gold as depicted in figure 1. The electric characteristics of these new devices are improved over those of commercially available devices, since they constitute organic hybrid devices which are cheaper and easier to produce. Another important aspect is the possibility to control the breakdown voltage of the device by varying the degree of doping and the thickness of the active components.