nanopartículas semicondutoras, método para produção de nanopartículas semicondutoras, e, dispositivo emissor de luz
é provida uma nanopartícula semicondutora que demonstra a luminescência na borda da banda e que tem um curto comprimento de onda de pico de emissão de luz. a nanopartícula semicondutora compreende ag, in, ga e s, e a razão do número de átomos de ga para o número total de átomos de in e de átomos de...
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Format | Patent |
Language | Portuguese |
Published |
07.04.2020
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Summary: | é provida uma nanopartícula semicondutora que demonstra a luminescência na borda da banda e que tem um curto comprimento de onda de pico de emissão de luz. a nanopartícula semicondutora compreende ag, in, ga e s, e a razão do número de átomos de ga para o número total de átomos de in e de átomos de ga é 0,95 ou menor. além do mais, a nanopartícula semicondutora tem um comprimento de onda de pico de emissão de luz em uma faixa entre pelo menos 500 nm e menos do que 590 nm, e emite luz com uma semilargura de pico de emissão de luz de 70 nm ou menor. o tamanho de partícula médio é de 10 nm ou menor.
Semiconductor nanoparticles including Ag, In, Ga, and S are provided. In the semiconductor nanoparticles, a ratio of a number of Ga atoms to a total number of In and Ga atoms is 0.95 or less. The semiconductor nanoparticles emit light having an emission peak with a wavelength in a range of from 500 nm to less than 590 nm, and a half bandwidth of 70 nm or less, and have an average particle diameter of 10 nm or less. |
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Bibliography: | Application Number: BR20191117412 |