MÉTODO PARA FABRICAÇÃO DE AO MENOS UMA LÂMINA DE BARBEAR OU DEPILAR, LÂMINA DE BARBEAR OU DEPILAR E CARTUCHO PARA APARELHO DE BARBEAR OU DEPILAR

• Main Authors: GRAHAM JOHN SIMMS, NEVILLE SONNENBERG, PETER JOHANNUS LEUSSINK
• Format: Patent
• Language: Portuguese
• Published: 12.07.2022
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; CUTTING; HAND CUTTING TOOLS; HAND-HELD CUTTING TOOLS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; METALLURGY; PERFORMING OPERATIONS; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SEVERING; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; TRANSPORTING; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

MÉTODOS DE FABRICAÇÃO DE LÂMINAS DE SILÍCIO PARA APARELHOS DE BARBEAR OU DEPILAR. São apresentados métodos para a fabricação de lâminas de barbear ou depilar a partir de um material de silício. Em algumas implementações, o método inclui: alinhar uma pastilha de silício monocristalino que compreende uma superfície {100} em um ângulo onde planos {111} se cruzam com a superfície {100} paralela e perpendicular à pastilha; desbastar quimicamente a pastilha de silício monocristalino para expor um plano {111} e um segundo plano para se obter ao menos um gume de lâmina que tem um ângulo incluso de lâmina de cerca de 20 graus a cerca de 35 graus; aplicar um revestimento rígido ao gume da lâmina; obter um raio de curvatura do gume da lâmina entre cerca de 20 nanômetros e cerca de 100 nanômetros, após a deposição do revestimento rígido; aplicar um revestimento macio ao gume da lâmina; e remover a lâmina de barbear ou depilar da pastilha de silício monocristalino. Methods are provided for the manufacture of razor blades from silicon material. In some implementations, the method includes aligning a mono-crystalline silicon wafer comprising a {100} surface at an angle where {111} planes intersect the {100} surface parallel and perpendicular to the wafer; etching the mono-crystalline silicon wafer to expose an {111} plane and a second plane to provide a blade edge having between about a 20 degree included blade angle and about a 35 degree included blade angle; applying a hard coating on the blade edge; providing a radius of curvature of the blade edge between about 20 nanometers and about 100 nanometers after deposition of the hard coating; applying a soft coating on the blade edge; and removing the razor blade from the mono-crystalline silicon wafer.