processo e dispositivo para a fabricacão de uma camada semicondutora

• Main Authors: FRANK SCHOLZE, HENDRIK ZACHMANN, HORST NEUMANN, LUTZ PISTOL, KARSTEN OTTE
• Format: Patent
• Language: Portuguese
• Published: 26.04.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION ORPROCESSING OF GOODS; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGYGENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS; TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE

processo e dispositivo para a fabricação de uma camada semicondutora. a presente invenção refere-se a um processo e a um dispositivo para a fabricação de uma camada semicondutora. é apresentada a tarefa de aumentar a taxa de precipitação dos componentes da camada, e de melhorar, em essência, a eficiência de uma célula solar surgida. ao mesmo tempo, os custos de material devem ser reduzidor. a tarefa é solucionada pelo fato de que, em uma câmara devem ser reduzidos. a tarefa é solucionada pelo fato de que, em uma câmara de vácuo são liberados cu, in e/ou ga, esses elementos são focalizados sobre o substrato como feixes de vapor de metal, e de uma fonte de íons de feixe amplo de baixa energia de calcogênio saem se e/ou s ionizaods, e esse feixe é focalizado sobre a superfície do substrato de tal modo que, ele sobrepõe os feixes de vapor de metal. é descrito um dispositivo para a realização do processo.