método de preenchimento de espaço integrado para via através de silício e conjunto microeletrônico resultante

• Main Authors: RICHARD P. VOLANT, KEVIN S. PETRARCA, MUKTA G. FAROOQ
• Format: Patent
• Language: Portuguese
• Published: 10.11.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

método de preenchimento de espaço integrado para via através de silício e conjunto microeletrônico resultante um conjunto microeletrônico e método de formação de um buraco de passagem se estende através de um primeiro e segundo wafers (boiachas) que são fornecidos. o primeiro e segundo wafers têm faces que são confrontantes e características metálicas nas faces que são unidas conjuntamente para a montagem dos wafers. um buraco pode ser gravado através do primeiro wafer até que uma lacuna seja exposta entre as faces confrontantes. o buraco pode ter uma primeira parede e uma segunda inclinada para dentro a partir da primeira parede para uma abertura através da qual a lacuna é exposta. o material do primeiro e segundo wafer expostos dentro do buraco pode então ser pulverizado (pulverização catódica) criando uma parede entre as faces confrontantes. o buraco pode ser gravado de forma a estender a primeira parede através do primeiro wafer, de tal modo que a parede do buraco se estenda continuamente a partir do primeiro wafer para o segundo wafer. uma via através de silício eletricamente condutora pode então ser formada. A microelectronic assembly having a through hole extending through a first wafer (or chip) and a second wafer (or chip) are provided. The first and second wafers (or chips) have confronting faces and metallic features at the faces which are joined together to assemble the first and second wafers (or chips) leaving a gap between the confronting faces. A hole is etched in the first wafer (or chip), then material is sputtered to form a wall of material in the gap between wafers (or chips). Etching continues to extend the hole into or through the second wafer (or chip). The hole is filled to form a substantially vertical through silicon conductive via.