Verfahren zum Einbetten magnetischer Nanokristalle in einen Halbleiter

Es wird ein Verfahren zum Einbetten magnetischer Nanokristalle (4) in einen Halb­leiter, wobei paramagnetische und ferromagnetische Materialien wiederholt ab­wechselnd aus einer Gasphase auf einen Träger (1) abgeschieden werden. Um die magnetischen Nanokristalle (4) sowohl in einer vorgegebenen Tief...

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Main Authors LI TIAN DR, BONANNI ALBERTA MAG. DR, NAVARRO-QUEZADA ANDREA DR, DIETL TOMASZ, DEVILLERS THIBAUT DR
Format Patent
LanguageGerman
Published 15.10.2013
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
INDUCTANCES
MAGNETS
SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
SEMICONDUCTOR DEVICES
TRANSFORMERS
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Summary:Es wird ein Verfahren zum Einbetten magnetischer Nanokristalle (4) in einen Halb­leiter, wobei paramagnetische und ferromagnetische Materialien wiederholt ab­wechselnd aus einer Gasphase auf einen Träger (1) abgeschieden werden. Um die magnetischen Nanokristalle (4) sowohl in einer vorgegebenen Tiefe als auch mit ei­ner vorgegebenen horizontalen Verteilung im Halbleiter anordnen zu können, wird vorgeschlagen, dass mit Hilfe einer Gasphasenepitaxie zunächst auf dem Träger (1) eine Pufferschicht (3) aus Galliumnitrid, dann wiederholt abwechselnd paramagneti­sches Gallium-Eisennitrid und ferromagnetisches Eisennitrid unter Ausbildung von einphasigen Nanokristallen (4) und abschließend eine Deckschicht (5) aus Gallium­nitrid abgeschieden werden.
Bibliography:Application Number: AT20120050207