Preparation of tungsten oxide modified with Zn(Ⅱ) thin film photoelectrode and photoelectrochemical performace(锌修饰三氧化钨薄膜光电极的制备及其光电化学性能)

采用简单的阴极电沉积-浸渍法，在空气中经450 ℃热处理3 h后，制备得到Zn(Ⅱ)修饰三氧化钨(WO3) 薄膜光电极.根据X-射线粉末衍射(XRD)、拉曼(Raman)光谱、场发射扫描电镜(FE-SEM)、紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱和荧光发射光谱(PL)等表征技术，分析了 Zn(Ⅱ)的含量对WO3薄膜光电极的结构、形貌和光学性能的影响.通过在0. 2 M的Na2SO4溶液、外加电压为0.8 V条件下的光电流测试表明，当Zn(Ⅱ)的相对原子比为9.99% 时其光电性能最好，光电流值是纯WO3电极的3. 5倍；外加电压为0.8 V下的光电催化降解孔雀绿(MG)测试实验结果表明，其光电催化...

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Published inZhejiang da xue xue bao. Journal of Zhejiang University. Sciences edition. Li xue ban Vol. 41; no. 2; pp. 168 - 174
Main Authors LIULiying(刘丽英), LIURun(刘润), XUZhude(徐铸德)
Format Journal Article
LanguageChinese
Published Zhejiang University Press 01.03.2014
Subjects
三氧化钨
光电催化活性
光电极
光电流
锌修饰三氧化钨
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Summary:采用简单的阴极电沉积-浸渍法，在空气中经450 ℃热处理3 h后，制备得到Zn(Ⅱ)修饰三氧化钨(WO3) 薄膜光电极.根据X-射线粉末衍射(XRD)、拉曼(Raman)光谱、场发射扫描电镜(FE-SEM)、紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱和荧光发射光谱(PL)等表征技术，分析了 Zn(Ⅱ)的含量对WO3薄膜光电极的结构、形貌和光学性能的影响.通过在0. 2 M的Na2SO4溶液、外加电压为0.8 V条件下的光电流测试表明，当Zn(Ⅱ)的相对原子比为9.99% 时其光电性能最好，光电流值是纯WO3电极的3. 5倍；外加电压为0.8 V下的光电催化降解孔雀绿(MG)测试实验结果表明，其光电催化活性是纯WO3的2倍.Raman光谱表明一部分Zn(Ⅱ)以ZnO的形式附着在WO3的表面.附着在WO3表面上的ZnO对WO3所产生的光生电子-空穴对起到了有效分离的作用，使WO3的光电化学性能和光电催化活性得以提高.
ISSN:1008-9497
DOI:10.3785/j.issn.1008-9497.2014.02.010