Einstellbare Graphen/MoS 2 Grenzflächen durch vertikale Oberflächenfunktionalisierung

• Published in: Angewandte Chemie
• Main Authors: Cao, Qing, Dai, Jiajun, Hao, Zhuting, Paulus, Beate, Eigler, Siegfried, Chen, Xin
• Format: Journal Article
• Language: German
• Published: 16.11.2024
• ISSN: 0044-8249; 1521-3757
• DOI: 10.1002/ange.202415922

Oberflächenchemie und Grenzflächeninteraktionen beeinflussen die Eigenschaften von zweidimensionalen (2D) Materialien und Heterostrukturen. Daher ist die Entwicklung von Methoden zur Kontrolle von Oberflächen‐ und Grenzflächeneigenschaften entscheidend, um die Funktionen von 2D‐Materialien und Heterostrukturen zu ermöglichen. In dieser Arbeit haben wir einen einfachen Ansatz entwickelt, um den Abstand von Grenzflächen in Graphen/MoS 2 ‐Heterostrukturen (G/MoS 2 ) durch Variation funktioneller Gruppen an der Oberfläche der Graphen‐Unterschicht einzustellen. Wir haben systematisch untersucht, wie der Abstand zwischen 2D‐Schichten in G/MoS 2 ‐Heterostrukturen die optischen Eigenschaften beeinflusst. Unsere Ergebnisse deuten darauf hin, dass sowohl die Größe als auch die elektronischen Eigenschaften der funktionellen Gruppen zur Regulierung der Ladungstransporteigenschaften beitragen, wobei besonders die Größe funktioneller Gruppen entscheidend ist. Unser Ansatz zeigt einen effizienten und flexiblen Weg zum Einstellen der Schichtabstände in Heterostrukturen, wodurch die Elektronentransfer‐Eigenschaften beeinflusst werden. Die Grenzflächenchemie kann somit zur Optimierung der Eigenschaften von van‐der‐Waals‐Heterostrukturen herangezogen werden.