磷锗锌晶体生长与缺陷结构
采用水平双温区法批量合成了高纯ZnGeP2多晶,并用垂直Bridgman法生长出直径为40~50mm的高品质单晶。采用密度泛函理论分析了ZnGeP2晶体中可能存在的点缺陷对其近红外波段透光性的影响,认为V-Zn和Zn0Ge缺陷的影响最大。利用X射线衍射形貌术对晶体中存在的位错、层错、孪晶界、包裹体等微缺陷进行了分析,结果表明,温度场稳定性和固液生长界面形态是缺陷形成的主要因素。...
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Published in | 硅酸盐学报 Vol. 42; no. 8; pp. 1082 - 1086 |
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Main Author | |
Format | Journal Article |
Language | Chinese |
Published |
2014
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