多孔砖中SiHx（x=1，2，3）与S2分子的相互作用理论研究

用密度泛函B3LYP／lanl2dz方法研究了S2分子与多孔硅中SiHx（x=1，2，3）的相互作用，构建了表面掺杂有CH3，Si-O-Si和OH结构的多孔硅模型．当S2分子处于模型不同位置时，通过分析结合能和电子迁移发现S2分子与SiHx（x=1，2，3）的相互作用强于S2分子与CH3和OH的相互作用．利用过渡态理论研究了Si2H6＋S2→H3SiH2SiS＋HS反应，得到反应势垒为50．2kJ／mol．...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published inChinese journal of chemical physics no. 3; pp. 281 - 286
Main Author 李佐 程新路 王江 陈海花
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 2010
Subjects
多孔硅
红外谱
结合能
过渡态
Online AccessGet full text

Cover

More Information
Summary:用密度泛函B3LYP／lanl2dz方法研究了S2分子与多孔硅中SiHx（x=1，2，3）的相互作用，构建了表面掺杂有CH3，Si-O-Si和OH结构的多孔硅模型．当S2分子处于模型不同位置时，通过分析结合能和电子迁移发现S2分子与SiHx（x=1，2，3）的相互作用强于S2分子与CH3和OH的相互作用．利用过渡态理论研究了Si2H6＋S2→H3SiH2SiS＋HS反应，得到反应势垒为50．2kJ／mol．
Bibliography:34-1295/O6
Porous silicon, IR spectrum, Binding energy, Transition state
O
ISSN:1674-0068
2327-2244