电离辐射促进神经胶质瘤细胞初级纤毛发生

• Published in: 辐射研究与辐射工艺学报 Vol. 39; no. 2; pp. 27 - 34
• Main Authors: 马伟, 马青龙, 魏丽, 华君瑞, 何进鹏, 王菊芳
• Format: Journal Article
• Language: Chinese
• Published: 中国科学院大学 北京 100049%兰州大学基础医学院 兰州 730000%甘肃省人民医院检验科 兰州 730000%中国科学院近代物理研究所 甘肃省空间辐射生物学重点实验室 兰州 730000 01.04.2021; 中国科学院近代物理研究所 甘肃省空间辐射生物学重点实验室 兰州 730000
• Subjects: 电离辐射; 辐射敏感性; 神经胶质瘤; 初级纤毛
• ISSN: 1000-3436
• DOI: 10.11889/j.1000-3436.2021.rrj.39.020301

Q279; 研究电离辐射对人类神经胶质瘤细胞初级纤毛发生及初级纤毛对细胞辐射敏感性的影响.对两种神经胶质瘤细胞系(M059K和M059J)进行不同剂量的X射线或碳离子束照射,通过免疫荧光法检测电离辐射后细胞初级纤毛的发生率和长度的变化,通过细胞克隆存活实验检测siRNA(siIFT88)干扰IFT88基因抑制初级纤毛发生对细胞辐射敏感性的影响.结果表明:M059K和M059J细胞均具有初级纤毛,M059K细胞的初级纤毛发生率为(41.36±4.75)％,显著高于M059J细胞(8.07±1.58)％,两种细胞的纤毛平均长度均超过3μm,但M059J细胞对X射线和碳离子束的辐射敏感性更高;电离辐射能显著提高M059K细胞的初级纤毛发生率,10 Gy X射线照射时纤毛发生率接近60％,且X射线促进初级纤毛发生具有剂量和时间效应.通过转染siIFT88抑制初级纤毛能显著提高M059K细胞的辐射敏感性.因此,电离辐射能够促进人类神经胶质瘤细胞初级纤毛的发生,抑制初级纤毛发生能增强细胞的电离辐射敏感性.