不同参数对静态随机存储器总剂量效应的影响

TN47; 基于中国原子能科学研究院钴源建立的器件总剂量辐照装置试验平台,开展了静态随机存储器(SRAM)的总剂量效应研究.分别研究了器件特征工艺尺寸、累积辐照剂量、辐照剂量率以及温度对器件总剂量效应的影响.研究结果表明:在一定范围内剂量率对器件的总剂量效应影响不大,器件特征工艺尺寸越大总剂量效应的影响越大,温度越高总剂量效应影响越弱.此外还测量得到了该总剂量辐照实验平台的典型剂量率分布及均匀性.相关结果为宇航、核工业用电子器件抗辐射加固设计提供了一定的参考....

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Published in辐射研究与辐射工艺学报 Vol. 41; no. 6; pp. 108 - 113
Main Authors 张付强, 陈启明, 龚艺豪, 肖舒颜, 张铮, 马旭, 赵树勇, 郑宏超, 张健鹏, 郭刚
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 中国原子能科学研究院国防科技工业抗辐照应用技术创新中心 北京 102413%北京微电子技术研究所 北京 100076 01.12.2023
Subjects
总剂量效应
Static random access memory
静态随机存储器
Total dose effect
功耗电流
Power supply current
特征尺寸
Feature size
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ISSN1000-3436
DOI10.11889/j.1000-3436.2022-0120

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Summary:TN47; 基于中国原子能科学研究院钴源建立的器件总剂量辐照装置试验平台,开展了静态随机存储器(SRAM)的总剂量效应研究.分别研究了器件特征工艺尺寸、累积辐照剂量、辐照剂量率以及温度对器件总剂量效应的影响.研究结果表明:在一定范围内剂量率对器件的总剂量效应影响不大,器件特征工艺尺寸越大总剂量效应的影响越大,温度越高总剂量效应影响越弱.此外还测量得到了该总剂量辐照实验平台的典型剂量率分布及均匀性.相关结果为宇航、核工业用电子器件抗辐射加固设计提供了一定的参考.
ISSN:1000-3436
DOI:10.11889/j.1000-3436.2022-0120