抛光垫及抛光液对固结磨料抛光氧化镓晶体的影响

TG58%TQ164; 氧化镓晶体具有高禁带宽度、耐高压、短吸收截止边等优点,是最具代表性的第四代半导体材料之一,具有广阔地应用前景.氧化镓晶体抛光过程易出现微裂纹、划痕等表面缺陷,难以实现高质量表面加工,无法满足相应器件的使用要求,且现有的氧化镓晶体抛光工艺复杂、效率低.固结磨料抛光技术具有磨粒分布及切深可控、磨粒利用率高等优点.采用固结磨料抛光氧化镓晶体,探究抛光垫基体硬度、磨料浓度和抛光液添加剂对被抛光材料去除率和表面质量的影响.结果表明:当抛光垫基体硬度适中为Ⅱ、金刚石磨粒浓度为100％、抛光液添加剂为草酸时,固结磨料抛光氧化镓晶体的材料去除率为68nm/min,表面粗糙度Sa为3.1...

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Published in金刚石与磨料磨具工程 Vol. 42; no. 6; pp. 720 - 727
Main Authors 吴成, 李军, 侯天逸, 于宁斌, 高秀娟
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 南京航空航天大学机电学院,南京210016 01.12.2022
航空工业成都飞机工业(集团)有限责任公司检验检测部,成都610073%南京航空航天大学机电学院,南京210016
Subjects
氧化镓晶体
表面粗糙度
固结磨料抛光垫
材料去除率
固结磨料抛光
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ISSN1006-852X
DOI10.13394/j.cnki.jgszz.2022.0043

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Summary:TG58%TQ164; 氧化镓晶体具有高禁带宽度、耐高压、短吸收截止边等优点,是最具代表性的第四代半导体材料之一,具有广阔地应用前景.氧化镓晶体抛光过程易出现微裂纹、划痕等表面缺陷,难以实现高质量表面加工,无法满足相应器件的使用要求,且现有的氧化镓晶体抛光工艺复杂、效率低.固结磨料抛光技术具有磨粒分布及切深可控、磨粒利用率高等优点.采用固结磨料抛光氧化镓晶体,探究抛光垫基体硬度、磨料浓度和抛光液添加剂对被抛光材料去除率和表面质量的影响.结果表明:当抛光垫基体硬度适中为Ⅱ、金刚石磨粒浓度为100％、抛光液添加剂为草酸时,固结磨料抛光氧化镓晶体的材料去除率为68nm/min,表面粗糙度Sa为3.17nm.采用固结磨料抛光技术可以实现氧化镓晶体的高效高质量抛光.
ISSN:1006-852X
DOI:10.13394/j.cnki.jgszz.2022.0043