ITO导电玻璃单颗磨粒切削机理仿真试验研究

TG580.6; 为研究氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)导电玻璃材料的去除机理,采用单磨粒对材料进行切削仿真,建立了ITO导电玻璃的材料模型,根据加工表面形貌、应力和切削力情况分析了材料去除机理,之后研究了切削参数对切削力和残余应力的影响,并与钠钙玻璃进行对比分析.结果表明:在磨粒的切削过程中,材料的去除受ITO薄膜层、玻璃基底和内聚力接触行为的共同影响,会产生分层、通道开裂和层间断裂等失效形式;随着磨粒的进给,切削力在一定范围内波动,且呈现上升、稳定、降低的变化,同时磨粒的切削力与切削速度和切削深度呈正相关;薄膜上残余应力相比玻璃基底,数值更大且波动更剧烈;当切削深度接近...

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Published in金刚石与磨料磨具工程 Vol. 44; no. 3; pp. 354 - 362
Main Authors 邱晓龙, 孙兴伟, 刘寅, 杨赫然, 董祉序, 张维锋
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 辽宁省高校复杂曲面数控制造装备实验室,沈阳 110870 01.06.2024
辽宁省复杂曲面数控制造技术重点实验室,沈阳 110870
沈阳工业大学 机械工程学院,沈阳 110870%沈阳工业大学 机械工程学院,沈阳 110870
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ISSN1006-852X
DOI10.13394/j.cnki.jgszz.2023.0183

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Summary:TG580.6; 为研究氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)导电玻璃材料的去除机理,采用单磨粒对材料进行切削仿真,建立了ITO导电玻璃的材料模型,根据加工表面形貌、应力和切削力情况分析了材料去除机理,之后研究了切削参数对切削力和残余应力的影响,并与钠钙玻璃进行对比分析.结果表明:在磨粒的切削过程中,材料的去除受ITO薄膜层、玻璃基底和内聚力接触行为的共同影响,会产生分层、通道开裂和层间断裂等失效形式;随着磨粒的进给,切削力在一定范围内波动,且呈现上升、稳定、降低的变化,同时磨粒的切削力与切削速度和切削深度呈正相关;薄膜上残余应力相比玻璃基底,数值更大且波动更剧烈;当切削深度接近ITO薄膜厚度时,薄膜的存在对磨粒切削行为的影响显著.
ISSN:1006-852X
DOI:10.13394/j.cnki.jgszz.2023.0183