超薄多晶硅的掺杂、钝化及光伏特性研究

TM914.4; 本文对70 nm超薄多晶硅的掺杂工艺、钝化性能及光伏特性进行了研究.确定了70 nm超薄多晶硅的掺杂工艺,研究表明当离子注入剂量为3.2×1015 cm-3,在855℃退火20 min时,70 nm超薄多晶硅的钝化性能可以达到与常规120 nm多晶硅相当的水平,且70 nm多晶硅的表面掺杂浓度达到5.6×1020 atoms/cm3,远高于120 nm掺杂多晶硅的表面掺杂浓度(2.5×1020 atoms/cm3).基于70 nm超薄多晶硅厚度减薄和高表面浓度掺杂的特点,较低的寄生吸收和强场钝化效应使得在大尺寸(6英寸)直拉单晶硅片上加工的N型TOPCon太阳能电池的光电转换...

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Published in人工晶体学报 Vol. 51; no. 3; pp. 434 - 440
Main Authors 宋志成, 杨露, 张春福, 刘大伟, 倪玉凤, 张婷, 魏凯峰
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司,西安 710000%青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司,西安 710000%西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071 01.03.2022
西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
Subjects
TOPCon太阳能电池;多晶硅;掺杂;离子注入;钝化接触;寄生吸收;光电转换效率
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Summary:TM914.4; 本文对70 nm超薄多晶硅的掺杂工艺、钝化性能及光伏特性进行了研究.确定了70 nm超薄多晶硅的掺杂工艺,研究表明当离子注入剂量为3.2×1015 cm-3,在855℃退火20 min时,70 nm超薄多晶硅的钝化性能可以达到与常规120 nm多晶硅相当的水平,且70 nm多晶硅的表面掺杂浓度达到5.6×1020 atoms/cm3,远高于120 nm掺杂多晶硅的表面掺杂浓度(2.5×1020 atoms/cm3).基于70 nm超薄多晶硅厚度减薄和高表面浓度掺杂的特点,较低的寄生吸收和强场钝化效应使得在大尺寸(6英寸)直拉单晶硅片上加工的N型TOPCon太阳能电池的光电转换效率得到明显提升,主要电性能参数表现为:电流Isc升高20 mA,串联电阻Rs降低,填充因子FF增加0.3％,光电转换效率升高0.13％.
ISSN:1000-985X
DOI:10.3969/j.issn.1000-985X.2022.03.008