一种倒装芯片/多层互连结构封装IC的修改方法

TN432.8; 倒装芯片封装是高性能器件的一种重要封装形式,其独特的封装形式为电路修改带来了新的挑战.文中结合芯片背面减薄技术、基于聚焦离子束(FIB)的深宽广沟槽刻蚀技术、基于动态光栅衍射条纹的沟槽刻蚀终点监测技术、FIB电路修改技术,提出了一种倒装芯片/多层互连结构封装集成电路的电路修改方法.该方法首先利用全局抛光减薄法将倒装芯片减薄到70μm左右,再利用深宽广沟槽刻蚀技术及基于动态光栅衍射条纹的沟槽刻蚀终点监测技术进行深宽广的Si沟槽刻蚀,将芯片进一步减薄到约4μm,之后利用聚焦离子束电路修改技术进行电路修改.对6层金属CMOS芯片中M1金属开路的成功修改结果表明,文中所提出的倒装芯片...

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Published in华南理工大学学报（自然科学版） Vol. 48; no. 12; pp. 63 - 71
Main Authors 林晓玲, 章晓文, 高汭
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 工业和信息化部电子第五研究所 电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室, 广东 广州510610 01.12.2020
Subjects
多层互连结构
电路修改
倒装芯片
聚焦离子束
封装
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ISSN1000-565X
DOI10.12141/j.issn.1000-565X.200118

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Summary:TN432.8; 倒装芯片封装是高性能器件的一种重要封装形式,其独特的封装形式为电路修改带来了新的挑战.文中结合芯片背面减薄技术、基于聚焦离子束(FIB)的深宽广沟槽刻蚀技术、基于动态光栅衍射条纹的沟槽刻蚀终点监测技术、FIB电路修改技术,提出了一种倒装芯片/多层互连结构封装集成电路的电路修改方法.该方法首先利用全局抛光减薄法将倒装芯片减薄到70μm左右,再利用深宽广沟槽刻蚀技术及基于动态光栅衍射条纹的沟槽刻蚀终点监测技术进行深宽广的Si沟槽刻蚀,将芯片进一步减薄到约4μm,之后利用聚焦离子束电路修改技术进行电路修改.对6层金属CMOS芯片中M1金属开路的成功修改结果表明,文中所提出的倒装芯片/多层互连结构封装集成电路的电路修改方法,可以有效地实现倒装芯片/多层互连结构封装集成电路中开路或者短路的电路修改.
ISSN:1000-565X
DOI:10.12141/j.issn.1000-565X.200118