全TOPCon电池正面多晶硅层硼掺杂工艺

TM914.4; 为提升隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)电池光电转换效率,本文通过高温扩散在n型TOPCon电池正面制作p型隧穿氧化层钝化接触结构,提升发射极钝化性能,减少正面金属复合.本文研究了不同沉积时间、推进温度、推进时间等工艺参数对实验样品钝化性能及掺杂曲线的影响.实验结果表明,当沉积时间为1 500 s,推进温度为920 ℃,推进时间为20 min时,掺硼多晶硅层可获得较优的钝化性能及掺杂浓度,其中样品多晶硅层硼掺杂浓度达到1.40 × 1020 cm-3,隐开路电压(iV)大于720.0 mV.依据该参数制备的TOPCon电池光电转换效率可达23.89％,对应的短路电流密度为39...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in人工晶体学报 Vol. 53; no. 2; pp. 329 - 335
Main Authors 张博, 宋志成, 倪玉凤, 魏凯峰
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司,西安 710000%青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司,西安 710000 15.02.2024
西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
Subjects
电流密度
TOPCon cell
硼扩散
钝化接触
current density
光电转换效率
passivation
photoelectric conversion efficiency
钝化
boron diffusion
TOPCon电池
tunnel oxide passivation contact
Online AccessGet full text

Cover

More Information
Summary:TM914.4; 为提升隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)电池光电转换效率,本文通过高温扩散在n型TOPCon电池正面制作p型隧穿氧化层钝化接触结构,提升发射极钝化性能,减少正面金属复合.本文研究了不同沉积时间、推进温度、推进时间等工艺参数对实验样品钝化性能及掺杂曲线的影响.实验结果表明,当沉积时间为1 500 s,推进温度为920 ℃,推进时间为20 min时,掺硼多晶硅层可获得较优的钝化性能及掺杂浓度,其中样品多晶硅层硼掺杂浓度达到1.40 × 1020 cm-3,隐开路电压(iV)大于720.0 mV.依据该参数制备的TOPCon电池光电转换效率可达23.89％,对应的短路电流密度为39.36 mA/cm2,开路电压(Voc)达到726.4 mV,填充因子(FF)为83.54％.
ISSN:1000-985X
DOI:10.3969/j.issn.1000-985X.2024.02.018