GaAs衬底温度对液滴外延法生长In液滴的影响

• Published in: 人工晶体学报 Vol. 50; no. 8; pp. 1431 - 1437
• Main Authors: 黄泽琛, 蒋冲, 李耳士, 李家伟, 宋娟, 王一, 郭祥, 罗子江, 丁召
• Format: Journal Article
• Language: Chinese
• Published: 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心,贵阳 550025%贵州大学微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳 550025 01.08.2021; 贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳 550025; 贵州财经大学信息学院,贵阳 550025; 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心,贵阳 550025; 贵州大学微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳 550025
• Subjects: GaAs;In液滴;液滴外延;衬底温度;团簇密度
• ISSN: 1000-985X
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2021.08.006

TN304; 采用液滴外延法在GaAs(001)衬底上生长In液滴,利用原子力显微镜(AFM)对不同衬底温度下生长的样品进行表征,观察其表面形貌.研究表明In液滴的生长对衬底温度十分敏感,随着衬底温度的升高,液滴密度逐渐减小,液滴尺寸逐渐增大.分析了In液滴在不同衬底温度形成过程的物理机制,解释了该实验现象的原因.根据成核理论中最大团簇密度与衬底温度之间的关系,拟合计算出In液滴密度与衬底温度满足的函数关系为nx=5.17 exp(0.69 eV/kT).