Ar气保护固相合成花状二硫化钼工艺研究

TQ136.1+2; 以三氧化钼和硫为原料,采用Ar气保护固相合成法,合成花状二硫化钼.采用XRD、SEM、TEM等手段对样品的结构和形貌进行表征.考察了原料比、反应温度、反应时间、升温速率对样品纯度的影响,制备出纯度较高的二硫化钼.结果表明:当MoO3与S物质的量之比为1:7.5,反应温度为450℃,反应时间为4 h,升温速率为15℃/min,可得到纯度为99.4％的花状二硫化钼,该花状结构由厚度为10 nm左右的翘曲片层组成,TEM照片中可见0.62 nm单层二硫化钼结构,具有较大的比表面积,使其在储能、催化等领域有广阔的应用前景....

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Published in人工晶体学报 Vol. 51; no. 8; pp. 1445 - 1450
Main Authors 崔玉青, 唐军利, 张晓
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 金堆城钼业股份有限公司技术中心,西安 710077 01.08.2022
Subjects
纯度
花状结构
固相合成法
二硫化钼
比表面积
二维材料
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Summary:TQ136.1+2; 以三氧化钼和硫为原料,采用Ar气保护固相合成法,合成花状二硫化钼.采用XRD、SEM、TEM等手段对样品的结构和形貌进行表征.考察了原料比、反应温度、反应时间、升温速率对样品纯度的影响,制备出纯度较高的二硫化钼.结果表明:当MoO3与S物质的量之比为1:7.5,反应温度为450℃,反应时间为4 h,升温速率为15℃/min,可得到纯度为99.4％的花状二硫化钼,该花状结构由厚度为10 nm左右的翘曲片层组成,TEM照片中可见0.62 nm单层二硫化钼结构,具有较大的比表面积,使其在储能、催化等领域有广阔的应用前景.
ISSN:1000-985X
DOI:10.3969/j.issn.1000-985X.2022.08.015