基于复合势垒的AlGaN/GaN异质结材料的制备与性能研究

TN386%TN304.2; 针对高线性氮化镓微波功率器件研制需求,设计并外延生长了复合势垒的Al0.26 Ga0.74 N/GaN/Al0.20 Ga0.80 N/GaN异质结构材料,通过理论计算和电容-电压(C-V)测试表明复合势垒材料存在两层二维电子气沟道.生长的复合势垒材料二维电子气迁移率达到1 510 cm2·V-1·s-1,面密度达到9.7×1012 cm-2.得益于双沟道效应,基于复合势垒材料研制的器件跨导存在两个峰,使得跨导明显展宽,达到 3.0 V,是常规材料的 1.5 倍.复合势垒结构器件的跨导一阶导数与二阶导数具有更加优异的特性,表明其具有更高的谐波抑制能力,显示复合势垒...

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Published in人工晶体学报 Vol. 52; no. 5; pp. 746 - 752
Main Authors 彭大青, 李忠辉, 蔡利康, 李传皓, 杨乾坤, 张东国, 罗伟科
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 南京电子器件研究所,南京 210016 01.05.2023
中国电子科技集团有限公司碳基电子重点实验室,南京 210016%南京电子器件研究所,南京 210016
微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京 210016
Subjects
AlGaN/GaN异质结
高线性
金属有机物气相沉积
跨导
二维电子气
复合势垒
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Summary:TN386%TN304.2; 针对高线性氮化镓微波功率器件研制需求,设计并外延生长了复合势垒的Al0.26 Ga0.74 N/GaN/Al0.20 Ga0.80 N/GaN异质结构材料,通过理论计算和电容-电压(C-V)测试表明复合势垒材料存在两层二维电子气沟道.生长的复合势垒材料二维电子气迁移率达到1 510 cm2·V-1·s-1,面密度达到9.7×1012 cm-2.得益于双沟道效应,基于复合势垒材料研制的器件跨导存在两个峰,使得跨导明显展宽,达到 3.0 V,是常规材料的 1.5 倍.复合势垒结构器件的跨导一阶导数与二阶导数具有更加优异的特性,表明其具有更高的谐波抑制能力,显示复合势垒AlGaN/GaN异质结构在高线性应用上的优势.
ISSN:1000-985X
DOI:10.3969/j.issn.1000-985X.2023.05.004