AlGaN基深紫外LED的外延生长及光电性能研究

TN321.8%TN23; AlGaN基材料作为带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料,是制备紫外光电子器件的理想材料.在无法获得大尺寸、低成本的同质衬底的情况下,高质量AlN薄膜的异质外延是促进紫外光电子器件发展的关键.本文中,通过调节蓝宝石衬底上AlN的金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长模式产生高密度纳米级孔洞,利用纳米级孔洞降低AlN的位错,并在此基础上外延了AlGaN量子阱结构,得到了275 nm波段的深紫外LED薄膜,并制备了开启电压约为4.8 V,反向漏电电流仅为2.23μA(-3.0 V电压时)的深紫外LED器件....

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Published in人工晶体学报 Vol. 51; no. 7; pp. 1158 - 1162
Main Authors 李路, 徐俞, 曹冰, 徐科
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 江苏省先进光学制造技术重点实验室和教育部现代光学技术重点实验室,苏州 215006%中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123 01.07.2022
苏州大学光电科学与工程学院,苏州 215006
Subjects
紫外LED
AlGaN材料
异质外延
纳米级孔洞
AlN薄膜
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ISSN1000-985X
DOI10.3969/j.issn.1000-985X.2022.07.004

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Abstract TN321.8%TN23; AlGaN基材料作为带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料,是制备紫外光电子器件的理想材料.在无法获得大尺寸、低成本的同质衬底的情况下,高质量AlN薄膜的异质外延是促进紫外光电子器件发展的关键.本文中,通过调节蓝宝石衬底上AlN的金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长模式产生高密度纳米级孔洞,利用纳米级孔洞降低AlN的位错,并在此基础上外延了AlGaN量子阱结构,得到了275 nm波段的深紫外LED薄膜,并制备了开启电压约为4.8 V,反向漏电电流仅为2.23μA(-3.0 V电压时)的深紫外LED器件.
AbstractList TN321.8%TN23; AlGaN基材料作为带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料,是制备紫外光电子器件的理想材料.在无法获得大尺寸、低成本的同质衬底的情况下,高质量AlN薄膜的异质外延是促进紫外光电子器件发展的关键.本文中,通过调节蓝宝石衬底上AlN的金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长模式产生高密度纳米级孔洞,利用纳米级孔洞降低AlN的位错,并在此基础上外延了AlGaN量子阱结构,得到了275 nm波段的深紫外LED薄膜,并制备了开启电压约为4.8 V,反向漏电电流仅为2.23μA(-3.0 V电压时)的深紫外LED器件.
Author 曹冰
李路
徐俞
徐科
AuthorAffiliation 苏州大学光电科学与工程学院,苏州 215006;江苏省先进光学制造技术重点实验室和教育部现代光学技术重点实验室,苏州 215006%中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123
AuthorAffiliation_xml – name: 苏州大学光电科学与工程学院,苏州 215006;江苏省先进光学制造技术重点实验室和教育部现代光学技术重点实验室,苏州 215006%中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123
Author_FL XU Yu
XU Ke
CAO Bing
LI Lu
Author_FL_xml – sequence: 1
  fullname: LI Lu
– sequence: 2
  fullname: XU Yu
– sequence: 3
  fullname: CAO Bing
– sequence: 4
  fullname: XU Ke
Author_xml – sequence: 1
  fullname: 李路
– sequence: 2
  fullname: 徐俞
– sequence: 3
  fullname: 曹冰
– sequence: 4
  fullname: 徐科
BookMark eNo9jz1LAzEcxjNUsNZ-CxeHi_9LcnfJWGqtwqGLgltJTFJ6lBR6io6COujSpTq41EEQcRK0giJ-mmv0W3iiOD0vw_PwW0AVN3AGoaUQMBWxWMlwL88dDgEgEDzaxQQIwZBgAFZB1f9-HtXzvKfKyGMCnFcRb_TbcrOYvM5eHv3TQ3F7lbZW_fVpaYq3qR9Pvi4_itFFcXbux8-z47vPk3d_M_b300U0Z2U_N_U_raGdtdZ2cz1It9obzUYa5CEwFggiI2ZERJRlEewZCkpoA5JRSUMtbUgTZlishZacMCaN1iDjRFlOrNIJpTW0_Lt7KJ2VrtvJBgdDVz52ht1s_0gJ_sMKSUlKvwE0ZF7y
ClassificationCodes TN321.8%TN23
ContentType Journal Article
Copyright Copyright © Wanfang Data Co. Ltd. All Rights Reserved.
Copyright_xml – notice: Copyright © Wanfang Data Co. Ltd. All Rights Reserved.
DBID 2B.
4A8
92I
93N
PSX
TCJ
DOI 10.3969/j.issn.1000-985X.2022.07.004
DatabaseName Wanfang Data Journals - Hong Kong
WANFANG Data Centre
Wanfang Data Journals
万方数据期刊 - 香港版
China Online Journals (COJ)
China Online Journals (COJ)
DatabaseTitleList
DeliveryMethod fulltext_linktorsrc
Discipline Engineering
DocumentTitle_FL Epitaxial Growth and Optoelectronic Properties of AlGaN-Based Deep-Ultraviolet LED
EndPage 1162
ExternalDocumentID rgjtxb98202207004
GrantInformation_xml – fundername: (国家自然科学基金); (国家自然科学基金); (江苏省重点研发计划)
  funderid: (国家自然科学基金); (国家自然科学基金); (江苏省重点研发计划)
GroupedDBID -01
2B.
4A8
5XA
5XB
5XC
92E
92I
93N
ABDBF
ABJNI
ACGFS
ACUHS
ALMA_UNASSIGNED_HOLDINGS
CCEZO
CCVFK
CW9
PSX
TCJ
TGP
U1G
U5K
U5L
ID FETCH-LOGICAL-s1044-92a54e952bf450ce30b9de0a43a31daf1374e46d9da8244aedd0a67bf82fbd733
ISSN 1000-985X
IngestDate Thu May 29 04:04:24 EDT 2025
IsPeerReviewed true
IsScholarly true
Issue 7
Keywords 紫外LED
AlGaN材料
异质外延
纳米级孔洞
AlN薄膜
Language Chinese
LinkModel OpenURL
MergedId FETCHMERGED-LOGICAL-s1044-92a54e952bf450ce30b9de0a43a31daf1374e46d9da8244aedd0a67bf82fbd733
PageCount 5
ParticipantIDs wanfang_journals_rgjtxb98202207004
PublicationCentury 2000
PublicationDate 2022-07-01
PublicationDateYYYYMMDD 2022-07-01
PublicationDate_xml – month: 07
  year: 2022
  text: 2022-07-01
  day: 01
PublicationDecade 2020
PublicationTitle 人工晶体学报
PublicationTitle_FL Journal of Synthetic Crystals
PublicationYear 2022
Publisher 江苏省先进光学制造技术重点实验室和教育部现代光学技术重点实验室,苏州 215006%中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123
苏州大学光电科学与工程学院,苏州 215006
Publisher_xml – name: 苏州大学光电科学与工程学院,苏州 215006
– name: 江苏省先进光学制造技术重点实验室和教育部现代光学技术重点实验室,苏州 215006%中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123
SSID ssib000862088
ssib023167813
ssib051369607
ssj0000547349
Score 2.3129206
Snippet TN321.8%TN23;...
SourceID wanfang
SourceType Aggregation Database
StartPage 1158
Title AlGaN基深紫外LED的外延生长及光电性能研究
URI https://d.wanfangdata.com.cn/periodical/rgjtxb98202207004
Volume 51
hasFullText 1
inHoldings 1
isFullTextHit
isPrint
link http://utb.summon.serialssolutions.com/2.0.0/link/0/eLvHCXMwpV3Na9RAFA-lBdGD-InfFOmcZGuSmWRmjjO7iUWkpxZ6K5NNtiKyQrsF6UlQD3rxUj14qQdBxJOgFRTxb_CP2K7-F773kt1NP5SqEMIwH-_93geTN2HmjefNyKhwmndkI8gELFAwhtMKEyEHbe6kc67dod0W8_Hcori5FC1NTH6v7Vpa72Wz7Y0Dz5X8i1WhDuyKp2T_wrIjolABZbAvvMHC8D6Ujc3dG26eJRHTKbOGJTGzktmAJfAWzFhsMoLp-FbSwkptmBKjSixYy2xMTQKJJJppqEyxSaVMGSrAo6s-NkIuymdGskQxxZklysbHVixoIFiPeFkiEJslUgDPEAWtia_A4ZoTpBYzMRE30GfoB9S3xVSC3HB0Om4BcgnTPlFJmU52jQG5NIEHnfgHjJEoQXmD1_CnRzjeIFu6KSk0IL2AqBY1glpoQvQ91IsiXCnyG2tqJAx1QDk1qcyvxFNUADqGNK4kU6REFVagDWBMsMlA52ZVY8hyOqSaGO0ESkRgMCokOpwZRXQSkJnUYpnhBwH7Pxhhs6YQMqpOrkFQB1MrCyNirJATwrVDB0Ft1xBoRG_C_YTIecFfOBUCKuyHSyzUgZ1JbJvWnHqvexJBMsnvJAnK0-nV1xrTImgVLdU_51X-4nLakrVvM6x9VC3OC4IyDNgbQ3Ada4ohkMXsiMUsuiHl-S2vy96TpX115U7vfgbTHJ5cl5SheCqUEneOTBnbsumufwj-OEdgiKko1DimjgK8YbP6J1NeUCAkp2X8CMsRb6YCev1PMOkcYrfjuiu1kHnhhHe8WutOm3LiOulNbNw-5R2rZUA97Smawvpbn3c-vR98eNd__QKmqsHLR1Dof9kebG79fP6t_-xp__GTwebHnQdvfjz8Oni1OXi7fcZbTJOF5lyjusylsRb4QjR06CJR6CjMOiLy2wX3M50XvhPc8SB3nYBLUYg417lTsORwRZ77LpZZR4WdLJecn_Umu_e6xTlvWoTQIP2wnStYT8UalOgKBeQVz4B-ft67Wsm9XE3Wa8v77HPhMJ0uekfHs88lb7K3ul5chkVIL7tSmfUXw3HTUA
linkProvider EBSCOhost
openUrl ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info%3Aofi%2Fenc%3AUTF-8&rfr_id=info%3Asid%2Fsummon.serialssolutions.com&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Ajournal&rft.genre=article&rft.atitle=AlGaN%E5%9F%BA%E6%B7%B1%E7%B4%AB%E5%A4%96LED%E7%9A%84%E5%A4%96%E5%BB%B6%E7%94%9F%E9%95%BF%E5%8F%8A%E5%85%89%E7%94%B5%E6%80%A7%E8%83%BD%E7%A0%94%E7%A9%B6&rft.jtitle=%E4%BA%BA%E5%B7%A5%E6%99%B6%E4%BD%93%E5%AD%A6%E6%8A%A5&rft.au=%E6%9D%8E%E8%B7%AF&rft.au=%E5%BE%90%E4%BF%9E&rft.au=%E6%9B%B9%E5%86%B0&rft.au=%E5%BE%90%E7%A7%91&rft.date=2022-07-01&rft.pub=%E6%B1%9F%E8%8B%8F%E7%9C%81%E5%85%88%E8%BF%9B%E5%85%89%E5%AD%A6%E5%88%B6%E9%80%A0%E6%8A%80%E6%9C%AF%E9%87%8D%E7%82%B9%E5%AE%9E%E9%AA%8C%E5%AE%A4%E5%92%8C%E6%95%99%E8%82%B2%E9%83%A8%E7%8E%B0%E4%BB%A3%E5%85%89%E5%AD%A6%E6%8A%80%E6%9C%AF%E9%87%8D%E7%82%B9%E5%AE%9E%E9%AA%8C%E5%AE%A4%2C%E8%8B%8F%E5%B7%9E+215006%25%E4%B8%AD%E5%9B%BD%E7%A7%91%E5%AD%A6%E9%99%A2%E8%8B%8F%E5%B7%9E%E7%BA%B3%E7%B1%B3%E6%8A%80%E6%9C%AF%E4%B8%8E%E7%BA%B3%E7%B1%B3%E4%BB%BF%E7%94%9F%E7%A0%94%E7%A9%B6%E6%89%80%2C%E8%8B%8F%E5%B7%9E+215123&rft.issn=1000-985X&rft.volume=51&rft.issue=7&rft.spage=1158&rft.epage=1162&rft_id=info:doi/10.3969%2Fj.issn.1000-985X.2022.07.004&rft.externalDocID=rgjtxb98202207004
thumbnail_s http://utb.summon.serialssolutions.com/2.0.0/image/custom?url=http%3A%2F%2Fwww.wanfangdata.com.cn%2Fimages%2FPeriodicalImages%2Frgjtxb98%2Frgjtxb98.jpg