AlGaN基深紫外LED的外延生长及光电性能研究

TN321.8%TN23; AlGaN基材料作为带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料,是制备紫外光电子器件的理想材料.在无法获得大尺寸、低成本的同质衬底的情况下,高质量AlN薄膜的异质外延是促进紫外光电子器件发展的关键.本文中,通过调节蓝宝石衬底上AlN的金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长模式产生高密度纳米级孔洞,利用纳米级孔洞降低AlN的位错,并在此基础上外延了AlGaN量子阱结构,得到了275 nm波段的深紫外LED薄膜,并制备了开启电压约为4.8 V,反向漏电电流仅为2.23μA(-3.0 V电压时)的深紫外LED器件....

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Published in人工晶体学报 Vol. 51; no. 7; pp. 1158 - 1162
Main Authors 李路, 徐俞, 曹冰, 徐科
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 江苏省先进光学制造技术重点实验室和教育部现代光学技术重点实验室,苏州 215006%中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123 01.07.2022
苏州大学光电科学与工程学院,苏州 215006
Subjects
紫外LED
AlGaN材料
异质外延
纳米级孔洞
AlN薄膜
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ISSN1000-985X
DOI10.3969/j.issn.1000-985X.2022.07.004

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Summary:TN321.8%TN23; AlGaN基材料作为带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料,是制备紫外光电子器件的理想材料.在无法获得大尺寸、低成本的同质衬底的情况下,高质量AlN薄膜的异质外延是促进紫外光电子器件发展的关键.本文中,通过调节蓝宝石衬底上AlN的金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长模式产生高密度纳米级孔洞,利用纳米级孔洞降低AlN的位错,并在此基础上外延了AlGaN量子阱结构,得到了275 nm波段的深紫外LED薄膜,并制备了开启电压约为4.8 V,反向漏电电流仅为2.23μA(-3.0 V电压时)的深紫外LED器件.
ISSN:1000-985X
DOI:10.3969/j.issn.1000-985X.2022.07.004