n-In0.35Ga0.65N/p-Si异质结的制备及其电学性能研究

TN36; 采用双光路双靶材脉冲激光沉积(PLD)系统在p-Si衬底上外延生长InGaN薄膜,研究了InGaN薄膜的显微组织结构和n-InGaN/p-Si异质结的电学性能.研究表明,InGaN薄膜为单晶结构,沿[0001]方向择优生长,薄膜表面光滑致密,In的原子含量为35％.霍尔(Hall)效应测试表明In0.35Ga0.65N薄膜呈n型半导体特性,具有高的载流子浓度和迁移率及低的电阻率.I-V曲线分析表明In0.35 Ga0.65 N/p-Si异质结具有良好的整流特性,在 ±4 V时的整流比为25,开路电压为1.32 V.In0.35Ga0.65N/p-Si异质结中存在热辅助载流子隧穿和复...

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Published in人工晶体学报 Vol. 50; no. 3; pp. 484 - 490
Main Authors 王婷, 赵红莉, 郭世伟, 姚娟, 李爽, 符跃春, 沈晓明, 何欢
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 广西大学资源环境与材料学院,有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室,广西有色金属及特色材料加工重点实验室,广西生态型铝产业协同创新中心,南宁 530004 01.03.2021
Subjects
n-In0.35Ga0.65N/p-Si异质结
脉冲激光沉积
InGaN薄膜
半导体
整流特性
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Summary:TN36; 采用双光路双靶材脉冲激光沉积(PLD)系统在p-Si衬底上外延生长InGaN薄膜,研究了InGaN薄膜的显微组织结构和n-InGaN/p-Si异质结的电学性能.研究表明,InGaN薄膜为单晶结构,沿[0001]方向择优生长,薄膜表面光滑致密,In的原子含量为35％.霍尔(Hall)效应测试表明In0.35Ga0.65N薄膜呈n型半导体特性,具有高的载流子浓度和迁移率及低的电阻率.I-V曲线分析表明In0.35 Ga0.65 N/p-Si异质结具有良好的整流特性,在 ±4 V时的整流比为25,开路电压为1.32 V.In0.35Ga0.65N/p-Si异质结中存在热辅助载流子隧穿和复合隧穿两种电流传输机制.经拟合,得到异质结的反向饱和电流为1.05×10-8 A,势垒高度为0.86 eV,理想因子为6.87.
ISSN:1000-985X