Tl-1223高温超导薄膜在蓝宝石单晶基片上的生长和性能研究

O511.3; 本文报道了采用射频磁控溅射法和快速升温烧结法在R面取向的蓝宝石单晶基片上生长CeO2缓冲层和Tl-1223超导薄膜,研究了缓冲层生长情况和先驱膜后退火条件对超导薄膜结晶情况和超导特性的影响.AFM和XRD表征结果显示,蓝宝石基片经过退火后其表面形成具有光滑平台的台阶结构,同时基片的晶体质量得到了改善;本文所制备的CeO2缓冲层和Tl-1223超导薄膜具有较好的c轴生长取向,而且两者呈现良好的ab面内织构.SEM表征结果显示,生长良好的Tl-1223超导薄膜呈层状结构,表面光滑平整、结构致密.在液氮环境下,测得所制备Tl-1223超导薄膜的临界转变温度Tc约为111 K,临界电流...

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Published in人工晶体学报 Vol. 52; no. 4; pp. 629 - 635
Main Authors 韩徐, 金艳营, 曾立, 岳宏卫, 蒋艳玲, 唐平英, 黄国华, 谢清连
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 南宁师范大学,广西高校新型电功能材料重点实验室,南宁 530100%桂林电子科技大学信息与通信学院,桂林 541004 01.04.2023
Subjects
Tl-1223超导薄膜
临界转变温度
蓝宝石基片
快速升温烧结法
CeO2缓冲层
磁控溅射
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ISSN1000-985X
DOI10.3969/j.issn.1000-985X.2023.04.012

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Summary:O511.3; 本文报道了采用射频磁控溅射法和快速升温烧结法在R面取向的蓝宝石单晶基片上生长CeO2缓冲层和Tl-1223超导薄膜,研究了缓冲层生长情况和先驱膜后退火条件对超导薄膜结晶情况和超导特性的影响.AFM和XRD表征结果显示,蓝宝石基片经过退火后其表面形成具有光滑平台的台阶结构,同时基片的晶体质量得到了改善;本文所制备的CeO2缓冲层和Tl-1223超导薄膜具有较好的c轴生长取向,而且两者呈现良好的ab面内织构.SEM表征结果显示,生长良好的Tl-1223超导薄膜呈层状结构,表面光滑平整、结构致密.在液氮环境下,测得所制备Tl-1223超导薄膜的临界转变温度Tc约为111 K,临界电流密度Jc(77 K,0 T)约为1.3 MA/cm2.
ISSN:1000-985X
DOI:10.3969/j.issn.1000-985X.2023.04.012