GaSe/ZnS异质结的结构和界面性质的第一性原理研究

O482%O469%G312; 本文设计了一种GaSe/ZnS范德瓦耳斯异质结构(vdWH),并用第一性原理计算系统地分析了该异质结构的几何、电子、输运性质.通过结合能、声子谱、从头算分子动力学(AIMD)模拟验证了所构建GaSe/ZnS范德瓦耳斯异质结构的稳定性.详细计算了GaSe/ZnS vdWH界面性质中的平面平均电子密度差和平均静电势.结果表明,GaSe/ZnS vdWH是一种直接带隙为2.19 eV,载流子迁移率较高的异质结构.其中,沿x方向的电子迁移率可达1 394.63 cm2·V-1·s-1,而沿v方向的电子迁移率可达1 913.18 cm2·V-1·s-1,性能优异,有望应用...

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Published in人工晶体学报 Vol. 53; no. 4; pp. 669 - 675
Main Authors 鲍爱达, 马永强, 郭鑫
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 中北大学电子测试技术国家重点实验室,太原 030051 01.04.2024
中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,太原 030051
Subjects
载流子迁移率
GaSe/ZnS范德瓦耳斯异质结构
声子色散谱
密度泛函理论
GaSe/ZnS van der Waals heterostructure
第一性原理
density functional theory
phonon dispersion spectrum
carrier mobility
first principle
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ISSN1000-985X
DOI10.3969/j.issn.1000-985X.2024.04.012

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Summary:O482%O469%G312; 本文设计了一种GaSe/ZnS范德瓦耳斯异质结构(vdWH),并用第一性原理计算系统地分析了该异质结构的几何、电子、输运性质.通过结合能、声子谱、从头算分子动力学(AIMD)模拟验证了所构建GaSe/ZnS范德瓦耳斯异质结构的稳定性.详细计算了GaSe/ZnS vdWH界面性质中的平面平均电子密度差和平均静电势.结果表明,GaSe/ZnS vdWH是一种直接带隙为2.19 eV,载流子迁移率较高的异质结构.其中,沿x方向的电子迁移率可达1 394.63 cm2·V-1·s-1,而沿v方向的电子迁移率可达1 913.18 cm2·V-1·s-1,性能优异,有望应用于电子纳米器件.
ISSN:1000-985X
DOI:10.3969/j.issn.1000-985X.2024.04.012