高质量氧化镓单晶及肖特基二极管的制备

TN311.7; 本文采用导模法生长技术,成功制备了高质量掺Si氧化镓(β-Ga2 O3)单晶,掺杂浓度为2×1018 cm-3.晶体呈现淡蓝色,通过劳厄衍射、阴极荧光(CL)及拉曼测试对晶体的基本性质进行了表征,结果表明晶体质量良好.紫外透过光谱证明该晶体的禁带宽度约为4.71 eV.此外,在剥离衬底上,采用电子束蒸发、光刻和显影技术制备了垂直结构的肖特基二极管,平均击穿场强EAva为2.1 MV/cm,导通电阻3 mΩ·cm2,展示了优异性能....

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Published in人工晶体学报 Vol. 49; no. 11; pp. 2194 - 2199
Main Authors 张晋, 胡壮壮, 穆文祥, 田旭升, 冯倩, 贾志泰, 张进成, 陶绪堂, 郝跃
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南 250100%西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071 01.11.2020
Subjects
n型掺杂
氧化镓单晶
肖特基二极管
导模法
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Summary:TN311.7; 本文采用导模法生长技术,成功制备了高质量掺Si氧化镓(β-Ga2 O3)单晶,掺杂浓度为2×1018 cm-3.晶体呈现淡蓝色,通过劳厄衍射、阴极荧光(CL)及拉曼测试对晶体的基本性质进行了表征,结果表明晶体质量良好.紫外透过光谱证明该晶体的禁带宽度约为4.71 eV.此外,在剥离衬底上,采用电子束蒸发、光刻和显影技术制备了垂直结构的肖特基二极管,平均击穿场强EAva为2.1 MV/cm,导通电阻3 mΩ·cm2,展示了优异性能.
ISSN:1000-985X