族InSe半导体晶体生长研究进展

O734%TN304; Ⅲ-Ⅵ族InSe晶体是一种非常重要的化合物半导体材料,在高性能纳米电子器件、红外光探测、光电器件及柔性电子等领域有广泛应用.本文简要介绍了In-Se相图的发展历程,InSe具有非一致熔融特性,可通过包晶反应从准化学剂量比或非化学剂量比溶液中析晶获得,其中In/Se摩尔比对InSe转化率有重要影响.迄今,垂直布里奇曼法、提拉法、水平梯度凝固法、低温液相法及气相输运法等多种技术被成功用于制备InSe晶体.为全面了解InSe晶体生长的历史和现状,本文从工艺原理、技术要点、晶体生长结果等方面将国内外相关工作进行了梳理,并对各种方法的优缺点进行了比较.研究分析表明:垂直布里奇曼法...

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Published in人工晶体学报 Vol. 51; no. 9; pp. 1722 - 1731
Main Authors 何峰, 白旭东, 陆欣昱, 郑树颍, 李荣斌, 刘学超, 魏天然, 史迅, 金敏
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 乌镇实验室,桐乡 314500%上海电机学院材料学院,上海 201306%中国科学院上海硅酸盐研究所,上海 201899%上海交通大学材料科学与工程学院,上海 200240 01.10.2022
上海理工大学材料与化学学院,上海 200093
山东大学晶体材料国家重点实验室,济南 250100%上海理工大学材料与化学学院,上海 200093
Subjects
晶体生长
InSe
半导体
垂直布里奇曼法
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ISSN1000-985X
DOI10.3969/j.issn.1000-985X.2022.09.020

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Summary:O734%TN304; Ⅲ-Ⅵ族InSe晶体是一种非常重要的化合物半导体材料,在高性能纳米电子器件、红外光探测、光电器件及柔性电子等领域有广泛应用.本文简要介绍了In-Se相图的发展历程,InSe具有非一致熔融特性,可通过包晶反应从准化学剂量比或非化学剂量比溶液中析晶获得,其中In/Se摩尔比对InSe转化率有重要影响.迄今,垂直布里奇曼法、提拉法、水平梯度凝固法、低温液相法及气相输运法等多种技术被成功用于制备InSe晶体.为全面了解InSe晶体生长的历史和现状,本文从工艺原理、技术要点、晶体生长结果等方面将国内外相关工作进行了梳理,并对各种方法的优缺点进行了比较.研究分析表明:垂直布里奇曼法因对设备要求简单,操作简易,现已成为制备高质量大尺寸InSe晶体的主流技术;水平梯度凝固法则在ε型InSe晶体生长方面颇具特色,未来可在新材料性能研究与应用探索上与垂直布里奇曼法形成一定补充.
ISSN:1000-985X
DOI:10.3969/j.issn.1000-985X.2022.09.020